[發明專利]一種熱原子層沉積技術生長GeTe合金薄膜的方法

有效

• 申請號: 201710255160.4
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN107142459B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 丁玉強;杜樹雷;杜立永
• 申請（專利權）人: 江南大學
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;C23C16/455
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211
• 代理人: 張勇

1.一種熱原子沉積技術生長GeTe合金薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：A)將襯底置于反應腔中，在真空條件下，以脈沖形式向反應腔中通入氣相Ge源進行沉積，得到沉積有Ge源的襯底，所述Ge源包括具有式I所示結構的化合物；B)將氣相還原劑以脈沖形式通入反應腔，對沉積在襯底上的Ge源進行還原得到中間物質；C)以脈沖的形式向反應腔中通入氣相Te源，與沉積在襯底上的中間物質進行反應得到GeTe合金薄膜的襯底；其中所述Ge源為具有式I所示結構的化合物；

其中R¹表示氫原子、C₁～C₆烷基、C₂～C₅鏈烯，R²，R⁵表示氫原子、C₁～C₆烷基、C₂～C₅鏈烯基、C₆～C₁₀芳基或-Si(R₆)₃，R³，R⁴表示-Si(R₆)₃，其中R₆為C₁～C₆烷基；R¹，R²，R⁵相同或相異，R³，R⁴相同或相異。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Te源為具有式Ⅱ所示結構的化合物：

其中R⁷，R⁸為C₁～C₆烷基，R⁷，R⁸相同或相異。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B)中氣相還原劑包括H₂、NH₃、B₂H₆、單烷基硼烷、氨基硼烷、醇類、肼類、烷基鋁、氨基鋁烷類、烷基鋅中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底包括硅、氧化硅、氮化硅、TaN和藍寶石中的一種或幾種。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A)中以脈沖形式向反應腔中通入氣相Ge源的單個脈沖的持續時間為0.05～20s。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述式I的化合物中，R¹表示甲基或nBu，R³、R⁴表示-Si(R₆)₃且R₆為甲基，R²、R⁵表示仲丁基sBu或者異丙基iPr，且R²、R⁵相同或相異。

7.一種Ge源化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的結構：

所述式I的化合物中，R¹表示甲基或nBu，R³、R⁴表示-Si(R₆)₃且R₆為甲基，R²、R⁵表示仲丁基sBu或者異丙基iPr，且R²、R⁵相同或相異。