[發(fā)明專利]一種光電二極管、X射線探測(cè)基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710253989.0
• 申請(qǐng)日: 2017-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN108735834B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃睿;孫建明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/117;H01L31/18;H01L27/146
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

1.一種光電二極管，其特征在于，包括：具有多個(gè)陷光結(jié)構(gòu)的N型硅層，設(shè)置于所述N型硅層上的I型硅層，以及設(shè)置于所述I型硅層上的P型硅層；其中，

在各所述陷光結(jié)構(gòu)處的所述N型硅層、所述I型硅層和所述P型硅層構(gòu)成徑向結(jié)結(jié)構(gòu)的PIN；

各所述陷光結(jié)構(gòu)為圓柱狀陷光結(jié)構(gòu)；

各所述徑向結(jié)結(jié)構(gòu)為環(huán)狀徑向結(jié)結(jié)構(gòu)，且呈周期性排布。

2.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，各所述陷光結(jié)構(gòu)為凹陷結(jié)構(gòu)；所述徑向結(jié)結(jié)構(gòu)為圓環(huán)狀孔洞結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的光電二極管，其特征在于，所述N型硅層中的各所述凹陷結(jié)構(gòu)的深度為所述N型硅層中除各所述凹陷結(jié)構(gòu)以外區(qū)域的厚度為

各所述凹陷結(jié)構(gòu)的直徑為每相鄰兩個(gè)所述凹陷結(jié)構(gòu)之間的距離為

4.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述陷光結(jié)構(gòu)為凸起結(jié)構(gòu)；所述徑向結(jié)結(jié)構(gòu)為圓柱狀凸起結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的光電二極管，其特征在于，所述N型硅層中的各所述凸起結(jié)構(gòu)的高度為所述N型硅層中除各所述凸起結(jié)構(gòu)以外區(qū)域的厚度為

各所述凸起結(jié)構(gòu)的直徑為每相鄰兩個(gè)所述凸起結(jié)構(gòu)之間的距離為

6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電二極管，其特征在于，所述I型硅層的厚度為

7.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電二極管，其特征在于，所述P型硅層的厚度為

8.一種X射線探測(cè)基板，其特征在于，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的多個(gè)如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的光電二極管，設(shè)置于所述襯底基板與所述光電二極管之間的多個(gè)薄膜晶體管，以及設(shè)置于所述光電二極管上的多個(gè)電流導(dǎo)出部件；

其中，各所述薄膜晶體管與各所述光電二極管一一對(duì)應(yīng)，且所述光電二極管的N型硅層與對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管的漏電極連接；

各所述電流導(dǎo)出部件與各所述光電二極管一一對(duì)應(yīng)，且所述光電二極管的P型硅層與對(duì)應(yīng)的所述電流導(dǎo)出部件電連接。

9.如權(quán)利要求8所述的X射線探測(cè)基板，其特征在于，所述電流導(dǎo)出部件，具體包括：

設(shè)置于所述光電二極管上的第一透明電極層，依次設(shè)置于所述薄膜晶體管和所述第一透明電極層上的鈍化層和平坦層，設(shè)置于所述平坦層上且通過貫穿所述鈍化層和平坦層的接觸孔與所述第一透明電極層電連接的第二透明電極層、設(shè)置于所述第二透明電極層上的導(dǎo)電金屬層，設(shè)置于所述導(dǎo)電金屬層上的保護(hù)層。

10.如權(quán)利要求9所述的X射線探測(cè)基板，其特征在于，所述N型硅層具有的各所述陷光結(jié)構(gòu)為凹陷結(jié)構(gòu)時(shí)，貫穿所述鈍化層和平坦層的接觸孔位于相鄰的所述徑向結(jié)結(jié)構(gòu)之間。

11.如權(quán)利要求9所述的X射線探測(cè)基板，其特征在于，所述N型硅層具有的各所述陷光結(jié)構(gòu)為凸起結(jié)構(gòu)時(shí)，貫穿所述鈍化層和平坦層的接觸孔位于所述徑向結(jié)結(jié)構(gòu)之上。

12.一種如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的光電二極管的制作方法，其特征在于，包括：

在N型硅層的表面制作多個(gè)陷光結(jié)構(gòu)；

在具有所述陷光結(jié)構(gòu)的所述N型硅層上依次形成I型硅層和P型硅層；其中，

在各所述陷光結(jié)構(gòu)處的所述N型硅層、所述I型硅層和所述P型硅層構(gòu)成徑向結(jié)結(jié)構(gòu)的PIN。

13.一種如權(quán)利要求8-11任一項(xiàng)所述的X射線探測(cè)基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成薄膜晶體管；

在形成有所述薄膜晶體管的所述襯底基板上采用如權(quán)利要求12所述的制作方法形成與所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)的光電二極管；

在所述光電二極管上形成與所述光電二極管一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)電流導(dǎo)出部件。