[發明專利]一種光電二極管、X射線探測基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710253989.0
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN108735834B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 黃睿;孫建明
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/117;H01L31/18;H01L27/146
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種光電二極管，其特征在于，包括：具有多個陷光結構的N型硅層，設置于所述N型硅層上的I型硅層，以及設置于所述I型硅層上的P型硅層；其中，

在各所述陷光結構處的所述N型硅層、所述I型硅層和所述P型硅層構成徑向結結構的PIN；

各所述陷光結構為圓柱狀陷光結構；

各所述徑向結結構為環狀徑向結結構，且呈周期性排布。

2.如權利要求1所述的光電二極管，其特征在于，各所述陷光結構為凹陷結構；所述徑向結結構為圓環狀孔洞結構。

3.如權利要求2所述的光電二極管，其特征在于，所述N型硅層中的各所述凹陷結構的深度為所述N型硅層中除各所述凹陷結構以外區域的厚度為

各所述凹陷結構的直徑為每相鄰兩個所述凹陷結構之間的距離為

4.如權利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述陷光結構為凸起結構；所述徑向結結構為圓柱狀凸起結構。

5.如權利要求4所述的光電二極管，其特征在于，所述N型硅層中的各所述凸起結構的高度為所述N型硅層中除各所述凸起結構以外區域的厚度為

各所述凸起結構的直徑為每相鄰兩個所述凸起結構之間的距離為

6.如權利要求1-5任一項所述的光電二極管，其特征在于，所述I型硅層的厚度為

7.如權利要求1-5任一項所述的光電二極管，其特征在于，所述P型硅層的厚度為

8.一種X射線探測基板，其特征在于，包括：襯底基板，設置于所述襯底基板上的多個如權利要求1-7任一項所述的光電二極管，設置于所述襯底基板與所述光電二極管之間的多個薄膜晶體管，以及設置于所述光電二極管上的多個電流導出部件；

其中，各所述薄膜晶體管與各所述光電二極管一一對應，且所述光電二極管的N型硅層與對應的所述薄膜晶體管的漏電極連接；

各所述電流導出部件與各所述光電二極管一一對應，且所述光電二極管的P型硅層與對應的所述電流導出部件電連接。

9.如權利要求8所述的X射線探測基板，其特征在于，所述電流導出部件，具體包括：

設置于所述光電二極管上的第一透明電極層，依次設置于所述薄膜晶體管和所述第一透明電極層上的鈍化層和平坦層，設置于所述平坦層上且通過貫穿所述鈍化層和平坦層的接觸孔與所述第一透明電極層電連接的第二透明電極層、設置于所述第二透明電極層上的導電金屬層，設置于所述導電金屬層上的保護層。

10.如權利要求9所述的X射線探測基板，其特征在于，所述N型硅層具有的各所述陷光結構為凹陷結構時，貫穿所述鈍化層和平坦層的接觸孔位于相鄰的所述徑向結結構之間。

11.如權利要求9所述的X射線探測基板，其特征在于，所述N型硅層具有的各所述陷光結構為凸起結構時，貫穿所述鈍化層和平坦層的接觸孔位于所述徑向結結構之上。

12.一種如權利要求1-7任一項所述的光電二極管的制作方法，其特征在于，包括：

在N型硅層的表面制作多個陷光結構；

在具有所述陷光結構的所述N型硅層上依次形成I型硅層和P型硅層；其中，

在各所述陷光結構處的所述N型硅層、所述I型硅層和所述P型硅層構成徑向結結構的PIN。

13.一種如權利要求8-11任一項所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成薄膜晶體管；

在形成有所述薄膜晶體管的所述襯底基板上采用如權利要求12所述的制作方法形成與所述薄膜晶體管一一對應的光電二極管；

在所述光電二極管上形成與所述光電二極管一一對應的多個電流導出部件。