[發明專利]一種在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201710253949.6 | 申請日: | 2017-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN107140971B | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 談國強;郭美佑;楊瑋;劉云;任慧君;夏傲 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | H01F1/10 | 分類號: | H01F1/10;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 岳培華 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電場 具有 穩定 鐵電性 hosrmnzn 共摻鐵酸鉍鐵電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜,其特征在于,該薄膜為Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3薄膜,該薄膜為扭曲的菱方鈣鈦礦結構,空間群為三方相的R3m:R和R3c:H共存;
該薄膜在1kHz頻率、外加電壓為40~95V、外加電場為533~1266kV/cm的條件下,具有剩余極化值為51~141μC/cm2、矯頑場為208~331kV/cm的對稱矩形電滯回線;
該薄膜的剩余極化強度隨著測試外加電壓和外加電場的增加而增加,且在外加電壓為95V、外加電場為1266kV/cm時仍未被擊穿,具有高電場下穩定的鐵電性。
2.權利要求1所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:按摩爾比為0.94:0.08:0.03:0.95:0.03:0.02將硝酸鉍、硝酸鈥、硝酸鍶、硝酸鐵、醋酸錳和硝酸鋅溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中,得到前驅液;
步驟2:將前驅液旋涂在FTO/glass基片上,得到濕膜,濕膜經勻膠后在190~220℃下烘烤得干膜,再于540~560℃下在空氣中退火,得到晶態Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3薄膜;
步驟3:將晶態Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3薄膜冷卻至室溫,重復步驟2直到達到所需厚度,即得到在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜。
3.根據權利要求2所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟1中前驅液中金屬離子的總濃度為0.2~0.4mol/L。
4.根據權利要求2所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,所述前驅液中乙二醇甲醚和醋酸酐的體積比為(2.5~3.5):1。
5.根據權利要求2所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2進行前先將FTO/glass基片清洗干凈,然后在紫外光下照射,使FTO/glass基片表面達到原子清潔度。
6.根據權利要求2所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2中勻膠時的勻膠轉速為3800~4000r/min,勻膠時間為12~18s。
7.根據權利要求2所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2中勻膠后的烘烤時間為8~10min。
8.根據權利要求2所述的在高電場下具有穩定鐵電性的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍鐵電薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2中的退火時間為8~12min。
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