[發明專利]一種基于FinFET器件的全加器在審
| 申請號: | 201710253940.5 | 申請日: | 2017-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN107222202A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 胡建平;楊會山;楊廷鋒 | 申請(專利權)人: | 寧波大學 |
| 主分類號: | H03K19/20 | 分類號: | H03K19/20;G06F7/501 |
| 代理公司: | 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙)33226 | 代理人: | 方小惠 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 finfet 器件 全加器 | ||
1.一種基于FinFET器件的全加器,其特征在于包括第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管、第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第五P型FinFET管、第六P型FinFET管、第七P型FinFET管、第八P型FinFET管、第九P型FinFET管、第一反相器和第二反相器,所述的第一N型FinFET管、所述的第二N型FinFET管和所述的第三N型FinFET管均為高閾值N型FinFET管,所述的第七P型FinFET管為高閾值P型FinFET管,所述的第四N型FinFET管、所述的第五N型FinFET管、所述的第六N型FinFET管和所述的第七N型FinFET管均為低閾值N型FinFET管,所述的第一P型FinFET管、所述的第二P型FinFET管、所述的第三P型FinFET管、所述的第四P型FinFET管、所述的第五P型FinFET管、所述的第六P型FinFET管、所述的第八P型FinFET管和所述的第九P型FinFET管均為低閾值P型FinFET管,所述的第一反相器和所述的第二反相器為結構相同的低閾值反相器;
所述的第一反相器的輸入端為所述的全加器的時鐘端,所述的第一反相器的輸出端、所述的第二反相器的輸入端、所述的第一P型FinFET管的前柵、所述的第四N型FinFET管的前柵和所述的第四N型FinFET管的背柵連接,所述的第二反相器的輸出端、所述的第三P型FinFET管的前柵、所述的第三P型FinFET管的背柵和所述的第六N型FinFET管的前柵連接,所述的第一P型FinFET管的源極、所述的第二P型FinFET管的源極、所述的第三P型FinFET管的源極和所述的第九P型FinFET管的源極均接入電源,所述的第一P型FinFET管的漏極、所述的第一N型FinFET管的漏極、所述的第二N型FinFET管的漏極、所述的第三N型FinFET管的漏極、所述的第五N型FinFET管的前柵、所述的第五N型FinFET管的背柵、所述的第二P型FinFET管的前柵、所述的第二P型FinFET管的背柵、所述的第五P型FinFET管的前柵和所述的第五P型FinFET管的背柵連接,所述的第一P型FinFET管的背柵、所述的第二P型FinFET管的漏極和所述的第五N型FinFET管的漏極連接且其連接端為所述的全加器的高位進位信號輸出端,所述的第一N型FinFET管的前柵、所述的第三N型FinFET管的前柵、所述的第四P型FinFET管的前柵和所述的第七P型FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的全加器的第一加數信號輸入端,所述的第一N型FinFET管的背柵、所述的第二N型FinFET管的前柵、所述的第四P型FinFET管的背柵和所述的第七P型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的全加器的第二加數信號輸入端,所述的第一N型FinFET管的源極、所述的第二N型FinFET管的源極、所述的第三N型FinFET管的源極和所述的第四N型FinFET管的漏極連接,所述的第二N型FinFET管的背柵、所述的第三N型FinFET管的背柵、所述的第六P型FinFET管的前柵、所述的第六P型FinFET管的背柵、所述的第八P型FinFET管的前柵和所述的第八P型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的全加器的第三加數信號輸入端,所述的第三P型FinFET管的漏極、所述和的第四P型FinFET管的源極和所述的第六P型FinFET管的源極連接,所述的第四P型FinFET管的漏極、所述的第五P型FinFET管的源極、所述的第六P型FinFET管的漏極和所述的第七P型FinFET管的源極連接,所述的第七P型FinFET管的漏極和所述和的第八P型FinFET管的源極連接,所述的第五P型FinFET管的漏極、所述的第八P型FinFET管的漏極、所述的第九P型FinFET管的前柵、所述的第九P型FinFET管的背柵、所述的第六N型FinFET管的漏極、所述的第七N型FinFET管的前柵和所述的第七N型FinFET管的背柵連接,所述的第九P型FinFET管的漏極、所述的第七N型FinFET管的漏極和所述的第六N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的全加器的和輸出端,所述的第四N型FinFET管的源極、所述的第五N型FinFET管的源極、所述的第六N型FinFET管的源極和所述的第七N型FinFET管的源極均接地。
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