[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710253929.9
• 申請(qǐng)日: 2017-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN107305893B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸鐘國;金泓秀;趙泰根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);陳曉博

提供了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：基底，包括單元區(qū)域和連接區(qū)域；第一字線堆，包括延伸至連接區(qū)域并堆疊在單元區(qū)域上的多條第一字線；第二字線堆，包括延伸至連接區(qū)域并堆疊在單元區(qū)域上的多條第二字線，第二字線堆與第一字線堆相鄰；豎直溝道，位于基底的單元區(qū)域中，豎直溝道連接至基底并與所述多條第一字線和所述多條第二字線結(jié)合；橋接區(qū)域，將第一字線堆中的第一字線與第二字線堆中的相應(yīng)第二字線連接；局部平坦化區(qū)域，位于橋接區(qū)域下方。

本申請(qǐng)要求于2016年4月18日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0046972號(hào)韓國專利申請(qǐng)的權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思的方面涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及能夠以高可靠性保持高操作速度并能夠以低成本制造的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

為了半導(dǎo)體裝置的高集成度，已經(jīng)提出包括以三維布置的存儲(chǔ)器單元的豎直陣列的垂直半導(dǎo)體裝置。近來，已經(jīng)提出提高半導(dǎo)體裝置的操作速度的各種方法。然而，這些方法多數(shù)會(huì)降低半導(dǎo)體裝置的可靠性或耐久度或需要昂貴的工藝。因此，對(duì)于以降低的制造成本來制造具有高操作速度和改善的可靠性的半導(dǎo)體裝置的方法具有高需求。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的方面提供了一種可保持高操作速度、高可靠性并可以以減少的成本制造的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

發(fā)明構(gòu)思的方面提供了一種可保持高操作速度、高可靠性并可以以更少的成本制造的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：基底，包括單元區(qū)域和連接區(qū)域；第一字線堆，包括延伸至連接區(qū)域并堆疊在單元區(qū)域上的多條第一字線；第二字線堆，包括延伸至連接區(qū)域并堆疊在單元區(qū)域上的多條第二字線，第二字線堆與第一字線堆相鄰；豎直溝道，位于基底的單元區(qū)域中，豎直溝道連接至基底并與所述多條第一字線和所述多條第二字線結(jié)合；橋接區(qū)域，將第一字線堆中的第一字線與第二字線堆中的相應(yīng)第二字線連接；局部平坦化區(qū)域，位于橋接區(qū)域下方。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：第一水平電極，沿第一方向在半導(dǎo)體基底上延伸；第二水平電極，沿第一方向與第一水平電極在相同水平上延伸；填充物，至少部分地填充位于第一水平電極與第二水平電極之間的局部平坦化區(qū)域；導(dǎo)體與絕緣體的堆疊件，位于填充物上。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將更加清楚地理解發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，在附圖中：

圖1是根據(jù)示例實(shí)施例的三維(3D)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的示意性框圖；

圖2是根據(jù)示例實(shí)施例的3D半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的單元陣列的示意性電路圖；

圖3是根據(jù)示例實(shí)施例的3D半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的單元陣列的透視圖；

圖4A是根據(jù)示例實(shí)施例的垂直半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的連接區(qū)域的局部透視圖；

圖4B是圖4A的垂直半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置在第二方向D2上的豎直剖視圖；

圖5是圖4A的垂直半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的連接區(qū)域的局部平面圖；

圖6是根據(jù)示例實(shí)施例示出地選擇線的與橋接器對(duì)應(yīng)的部分被去除的平面圖；

圖7A至圖7C是根據(jù)示例實(shí)施例的沿圖6的線I-I’截取的側(cè)剖視圖；

圖8是當(dāng)不使用填充物形成地選擇線和字線時(shí)橋接區(qū)域的剖視圖；

圖9是根據(jù)另一示例實(shí)施例示出地選擇線的與橋接器對(duì)應(yīng)的部分被去除的平面圖；

圖10A至圖10I是根據(jù)示例實(shí)施例示出按順序制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法的側(cè)剖視圖；