[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201710253829.6
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN108735725B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 董燕;張冠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/50
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圓，在所述第一晶圓中形成有接合凹槽，在所述接合凹槽的表面形成有接合材料層；

提供第二晶圓，在所述第二晶圓上形成有金屬柱，將所述金屬柱嵌入并填充所述接合凹槽，以使所述第一晶圓和所述第二晶圓相接合；

其中，形成所述接合凹槽的步驟包括：

提供第一晶圓，在所述第一晶圓上形成有第一金屬層；

圖案化所述第一金屬層和所述第一晶圓，以形成若干接合凹槽；

在所述第一金屬層上和所述接合凹槽的表面形成所述接合材料層；

在所述接合凹槽中形成T形的犧牲材料層；

以所述犧牲材料層為掩膜去除所述第一晶圓表面的所述接合材料層和所述第一金屬層；

去除所述犧牲材料層，以形成所述接合凹槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，使所述第一晶圓和所述第二晶圓相接合的方法包括：

將所述金屬柱嵌入所述接合凹槽中；

執行回流步驟，以使所述金屬柱熔融并完全填充所述接合凹槽。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述金屬柱的表面還形成有覆蓋所述接合材料層的焊接材料層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓和所述第二晶圓之間設置有填充材料，以填充所述第一晶圓和所述第二晶圓之間的間隙。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接合凹槽之后，所述方法還包括：

形成保護層，以覆蓋所述第一晶圓；

圖案化所述保護層，以形成開口并露出所述接合凹槽。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述T形的犧牲材料層的方法包括：

形成覆蓋所述接合材料層的覆蓋層；

圖案化所述覆蓋層，以形成開口尺寸大于所述接合凹槽的開口圖案；

選用犧牲層填充所述接合凹槽和所述開口圖案。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬柱包括銅柱。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓為支撐晶圓，所述第二晶圓為器件晶圓。