[發明專利]使用存儲裝置的方法、存儲裝置和存儲裝置組件

有效

• 申請號: 201710253286.8
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN107424651B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 簡·奧特斯泰特;邁克爾·格塞爾;托馬斯·克恩;托馬斯·拉貝納爾特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/52
• 分類號: G11C29/52;G11C29/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李春暉;李德山

在各種實施方式中，提供了一種使用存儲裝置的方法、存儲裝置和存儲裝置組件。方法可以包括：將數據單元、第一碼的校驗單元和第二碼的校驗單元存儲在存儲裝置的存儲單元中，其中，數據單元和第一碼的校驗單元形成第一碼的碼字，并且其中，數據單元和第二碼的校驗單元形成第二碼的碼字；將用于錯誤校正的第二碼應用于數據單元的至少一部分中和/或第一碼的校驗單元的至少一部分中；在校正錯誤之后，保留數據單元和第一碼的校驗單元的至少保留部分，并且刪除第二碼的校驗單元的至少刪除部分，從而釋放被第二碼的校驗單元的刪除部分所占用的存儲單元；以及在存儲裝置的后續使用期間，將數據存儲在所釋放的存儲單元的至少重用部分中。

技術領域

各種實施方式一般涉及一種校正存儲裝置中的錯誤的方法、存儲裝置及存儲裝置組件。

背景技術

諸如非易失性存儲裝置(例如，包括RRAM(阻變隨機存儲器)存儲單元的RRAM存儲裝置，其也稱為RRAM單元)這樣的存儲裝置在施加高溫應力時通常可能不是非常穩定。這意味著RRAM存儲單元丟失其信息的概率可能隨溫度而急劇上升。在典型的消費者和工業應用中，在存儲裝置或可以包括存儲裝置的芯片的使用壽命期間，最大溫度可以限于RRAM可接受的值。然而，當組裝板時，封裝芯片通?？赡鼙仨毐缓附?。在焊接期間，通常260℃的溫度會使用長達幾分鐘。

在焊接期間施加的這個溫度可能在存儲裝置中引起高到會導致不可接受的RRAM數據丟失概率的應力。

發明內容

在各種實施方式中，提供一種使用存儲裝置的方法。該方法可以包括：在存儲裝置的存儲單元中存儲數據單元、第一碼的校驗單元和第二碼的校驗單元，其中，數據單元和第一碼的校驗單元形成第一碼的碼字，并且其中，數據單元和第二碼的校驗單元形成第二碼的碼字；將用于錯誤校正的第二碼應用于數據單元的至少一部分中和/或第一碼的校驗單元的至少一部分中；在校正錯誤之后，保留數據單元和第一碼的校驗單元中的至少保留部分，并且刪除第二碼的校驗單元的至少刪除部分，從而釋放被第二碼的校驗單元的刪除部分占用的存儲單元；以及在后續使用存儲裝置期間，將數據存儲在所釋放的存儲單元的至少重用部分中。

附圖說明

在附圖中，相似的附圖標記在不同視圖中通常指代相同的部分。附圖不一定按比例繪制，而是將重點通常放在說明本發明的原理上。在下面的描述中，參考以下附圖描述了本發明的各種實施方式，在附圖中：

圖1示出了根據各種實施方式的存儲裝置的示意圖；

圖2示出了根據各種實施方式的圖1的存儲裝置在其使用的兩個階段期間的示意圖；

圖3A至圖3F示出了根據各種實施方式的存儲裝置在其使用的不同階段期間的示意圖；

圖4A和圖4B示出了根據各種實施方式的存儲裝置在其使用的不同階段期間的示意圖；

圖5示出了存儲單元的電阻的示例性數量分布和分配的值；

圖6A和圖6B各自示出了根據各種實施方式的存儲裝置組件；以及

圖7示出了根據各種實施方式的使用存儲裝置的方法的處理流程。

具體實施方式

以下詳細描述參考附圖，附圖通過說明示出了可以實踐本發明的具體細節和實施方式。

詞語“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或說明”。本文描述為“示例性”的任何實施方式或設計不一定被解釋為比其他實施方式或設計更為優選或有利。

提供了本公開內容的針對裝置的各個方面，并且提供了本公開內容的針對方法的各個方面。應當理解，裝置的基本特性也適用于方法，反之亦然。因此，出于簡潔起見，可以省略這些特性的重復描述。