[發明專利]一種制備納米光柵的裝置和方法

有效

• 申請號: 201710253240.6
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN106918857B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 侯想;仇凱弘;陳峰;歐金亮
• 申請（專利權）人: 福建中晶科技有限公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 姚壯

本發明公開了一種制備納米光柵的裝置，包括安裝底座和L形安裝支架，且L形安裝支架固定焊接在安裝底座的一側頂部，所述安裝底座的底部固定焊接有支撐架，所述安裝底座的頂部固定安裝有電機，所述電機的輸出軸連接有第二轉動連接件，所述第二轉動連接件遠離電機的一端設有勻膠臺，所述第二轉動連接件與勻膠臺轉動連接。本發明提出的一種制備納米光柵的裝置，結構簡單，設計合理，利用勻膠臺完成光刻膠旋涂工序，利用電子束曝光機、中間掩膜版、聚光透鏡和反射鏡完成基片的曝光工作，本發明提出的裝置用于制備納米光柵，設備投資小，制備成本低，操作簡單，易于控制，制備周期短，所得納米光柵性能好、質量高，成品合格率高，值得推廣。

技術領域

本發明涉及納米光柵技術領域，尤其涉及一種制備納米光柵的裝置和方法。

背景技術

光柵作為一種非常重要的化學元件，被廣泛應用于集成電路、光通信、光學互連、光信息處理、光學測量等領域。隨著納米技術的飛速發展，納米技術成為了當前研究最廣泛、投入最多的科學技術領域之一。隨著光柵在納米尺度的應用，納米光柵的制備方法顯得十分重要?，F有技術中，納米光柵的制備方法主要包括全息光刻、電子束光刻、離子束光刻、X射線光刻等等。上述方法普遍存在所用設備投資成本高，操作復雜，工藝條件苛刻，難以控制，納米光柵制備成本高、周期長，所得納米光柵質量不達標，成品合格率低等問題?；谏鲜鲫愂觯景l明提出了一種制備納米光柵的裝置和方法。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種制備納米光柵的裝置和方法。

一種制備納米光柵的裝置，包括安裝底座和L形安裝支架，且L形安裝支架固定焊接在安裝底座的一側頂部，所述安裝底座的底部固定焊接有支撐架，所述安裝底座的頂部固定安裝有電機，所述電機的輸出軸連接有第二轉動連接件，所述第二轉動連接件遠離電機的一端設有勻膠臺，所述第二轉動連接件與勻膠臺轉動連接，所述L形安裝支架靠近勻膠臺的一側設有第一滑槽，所述第一滑槽內設有推桿電機，且第一滑槽與推桿電機滑動連接，所述推桿電機的輸出軸固定連接有安裝支架，所述安裝支架的底端固定焊接有儲膠室，且所述儲膠室的下方設有出膠口，所述L形安裝支架靠近勻膠臺的一側固定安裝有電子束曝光機，且電子束曝光機位于推桿電機的上方，所述L形安裝支架的頂部靠近勻膠臺的一側設有第二滑槽，所述第二滑槽內設有第一滑塊和第二滑塊，所述第一滑塊和第二滑塊均勻第二滑槽滑動連接，所述第一滑塊遠離第二滑槽的一端固定連接有中間掩膜版，所述第二滑塊遠離第二滑槽的一端固定連接有聚光透鏡，所述L形安裝支架的頂部遠離電子束曝光機的一端底部固定安裝有第一轉動連接件，所述第一轉動連接件的底端設有反射鏡，且所述第一轉動連接件與反射鏡轉動連接。

優選的，所述電子束曝光機、中間掩膜版和聚光透鏡的中心軸線為同一條水平線。

優選的，所述支撐架共4個，且等距分布在安裝底座的底部外側。

本發明還提出了一種制備納米光柵的方法，包括以下步驟：

S1、對基片進行預處理后，在基片表面鍍上厚度為0.08～0.19μm的金屬膜，然后將基片置于勻膠臺上，使金屬膜朝上，利用推桿電機調節出膠口的位置至基片中心位置，滴正性光刻膠并啟動電機，電機通過第二轉動連接件帶動勻膠臺高速轉動至金屬膜表面旋涂一層厚度為0.2～0.3μm的正性光刻膠，旋涂均勻后，置于150～190℃下烘干1～2min；

S2、在步驟S1所得的光刻膠表面再滴負性光刻膠，旋涂一層厚度為0.19～0.25μm的負性光刻膠，旋涂均勻后，置于70～90℃下烘干1～2min，95～105℃的條件下烘干1～2min；

S3、調節電子束曝光機、中間掩膜版和聚光透鏡之間的位置，調節反射鏡的反射角度，將光掩膜版置于基片上方，且保證光掩膜版與基片緊密貼合，以曝光劑量為68～88mJ/cm²進行曝光處理；