[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710253226.6
• 申請(qǐng)日: 2017-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107068665B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盛翠翠;王篤祥;鐘秉憲;吳俊毅;吳超瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.微型發(fā)光二極管器件，包括：

微器件單元陣列，相鄰的微器件單元之間具有間隙，每個(gè)微器件單元具有半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)；

連接層，位于所述微器件單元之間的間隙，至少與一個(gè)微器件單元連接；

固定層，位于所述微器件單元陣列的下方，僅與所述連接層的下表面接觸，并在所述微器件單元的下方形成空腔；

其特征在于：所述連接層由所述微器件單元的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)向間隙延伸并減薄至一定厚度而成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述連接層與至少一個(gè)微器件單元的下表面連接，并向間隙延伸形成連接區(qū)，所述固定層僅與連接區(qū)接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述連接層由構(gòu)成所述微器件單元的材料層向所述間隙延伸而成，并在間隙內(nèi)形成連接區(qū)，所述固定層僅與所述連接區(qū)接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述連接層向所述間隙延伸的長(zhǎng)度為相鄰的微器件單元之間距離的1/2以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述連接層為一系列離散的圖案構(gòu)成，每個(gè)圖案呈條狀或塊狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述連接層至少同時(shí)連接兩個(gè)微器件單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述微器件單元為發(fā)光二極管單元，所述連接層為AlGaInP系材料層或GaN基材料層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述微器件單元為AlGaInP系發(fā)光二極管，其包括窗口層，所述連接層為窗口層向間隙延伸并減薄至一定厚度而成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述連接層的厚度為10~500nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述固定層與所述連接層的接觸面積小于所述連接層位于所述間隙內(nèi)的投影面積。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述微器件單元下方的空腔尺寸大于該微器件的尺寸。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管器件，其特征在于：所述微器件單元正對(duì)其下方的空腔，且尺寸大于所述空腔的尺寸。

13.微型發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟：

（1）提供半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)的上表面和下表面；

（2）在所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的表面上定義一系列微器件單元區(qū)、切割道區(qū)和連接區(qū)，其中連接區(qū)位于切割道區(qū)內(nèi)；

（3）在所述外延結(jié)構(gòu)下表面的微器件單元區(qū)對(duì)應(yīng)形成一系列犧牲層單元；

（4）在所述犧牲層上形成固定層，并向切割道區(qū)延伸，與所述半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)下表面的切割道區(qū)接觸；

（5）去除所述切割道區(qū)的外延結(jié)構(gòu)從而在所述切割道區(qū)形成間隙，并在連接區(qū)保留一定厚度作為連接層；

（6）去除所述犧牲層，此時(shí)外延結(jié)構(gòu)在各個(gè)微器件單元區(qū)的下方形成空腔，僅連接層與所述固定層接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）中，所述犧牲層單元的面積大于所述微器件單元區(qū)的面積。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）中，所述犧牲層單元完全覆蓋所述微器件單元區(qū)，并部分覆蓋所述切割道區(qū)。