[發(fā)明專利]導(dǎo)體形成用糊劑有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710252999.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107452435B | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小川昌輝;岡部一幸 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社則武 |
| 主分類號(hào)： | H01B1/22 | 分類號(hào)： | H01B1/22;H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)體 形成 用糊劑 | ||
1.一種導(dǎo)體形成用糊劑，其為導(dǎo)體膜的形成中使用的導(dǎo)體形成用糊劑，
其包含鎳顆粒、鈦酸鋇顆粒和分散介質(zhì)，
所述鈦酸鋇顆粒的含量相對(duì)于所述鎳顆粒100質(zhì)量份為10質(zhì)量份以下，
基于X射線光電子能譜即XPS的所述鎳顆粒表面的解析中，氫氧化鎳的摩爾分?jǐn)?shù)B相對(duì)于氧化鎳的摩爾分?jǐn)?shù)A之比B/A為0.2≤B/A1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)體形成用糊劑，其中，所述比B/A為0.3≤B/A≤0.7。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)體形成用糊劑，其中，所述氧化鎳的摩爾分?jǐn)?shù)A比所述氫氧化鎳的摩爾分?jǐn)?shù)B大12摩爾％以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)體形成用糊劑，其中，從所述氧化鎳的摩爾分?jǐn)?shù)A中減去所述氫氧化鎳的摩爾分?jǐn)?shù)B而得到的值A(chǔ)-B為30摩爾％以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)體形成用糊劑，其中，所述鎳顆粒的平均粒徑為10nm～500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)體形成用糊劑，其用于形成層疊陶瓷電子部件中的內(nèi)部電極層。
7.一種層疊陶瓷電容器，其具備：由權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)體形成用糊劑的焙燒體形成的內(nèi)部電極層。
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