[發(fā)明專(zhuān)利]微空心陰極放電器件和從其產(chǎn)生等離子體射流的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710252418.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107343351B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·尼基奇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 波音公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H05H1/26 | 分類(lèi)號(hào)： | H05H1/26;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 呂俊剛;王青芝 |
| 地址： | 美國(guó)伊*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 空心 陰極 放電 器件 產(chǎn)生 等離子體 射流 方法 | ||
微空心陰極放電器件和從其產(chǎn)生等離子體射流的方法。一種微空心陰極放電器件(100)。該器件(100)包括包含第一電極的第一電極層(102)。在所述第一電極層(102)中設(shè)置孔(110)。該器件(100)還包括電介質(zhì)層(104)，所述電介質(zhì)層(104)具有設(shè)置在所述第一電極層(102)上的第一表面。孔(110)從第一電極層(102)延續(xù)貫穿電介質(zhì)層(104)。該器件還包括半導(dǎo)體層(106)，所述半導(dǎo)體層(106)設(shè)置在電介質(zhì)層(104)的與第一表面相反的第二表面上。半導(dǎo)體層(106)是半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料橫跨孔(110)，使得所述孔(110)終止于半導(dǎo)體層(106)。該器件還包括第二電極層(108)，所述第二電極層(108)與電介質(zhì)層(104)相反地設(shè)置在半導(dǎo)體層(106)上。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及微空心陰極放電器件中的等離子體射流產(chǎn)生。
背景技術(shù)
等離子體射流具有許多有用的應(yīng)用。例如，等離子體射流發(fā)生器可以被放置在航天器上，并且然后等離子體射流可以用作推進(jìn)器。等離子體射流發(fā)生器在工業(yè)和醫(yī)學(xué)中具有各種其它應(yīng)用。
對(duì)于一些應(yīng)用，只有使用外部氣流增強(qiáng)等離子體射流的長(zhǎng)度才能產(chǎn)生所需尺寸的等離子體射流。然而，依賴(lài)于氣流的集成等離子體射流發(fā)生器在僅有薄結(jié)構(gòu)或有限空間可用的應(yīng)用中可能是有問(wèn)題的，因?yàn)榛跉饬鞯牡入x子體射流發(fā)生器對(duì)于這種應(yīng)用來(lái)說(shuō)易于體積太大。
發(fā)明內(nèi)容
說(shuō)明性實(shí)施方式提供了一種微空心陰極放電器件。該器件包括包含第一電極的第一電極層。在第一電極層中設(shè)置孔。該器件還包括電介質(zhì)(dielectric)層，所述電介質(zhì)層具有設(shè)置在第一電極層上的第一表面。孔從第一電極層延續(xù)貫穿電介質(zhì)層。該器件還包括半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在電介質(zhì)層的與第一表面相反的第二表面上。半導(dǎo)體層是半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料橫跨所述孔，使得所述孔終止于半導(dǎo)體層。該器件還包括第二電極層，所述第二電極層與電介質(zhì)層相反地設(shè)置在半導(dǎo)體層上。
說(shuō)明性實(shí)施方式還提供了一種從微空心陰極放電器件產(chǎn)生等離子體射流的方法，該微空心陰極放電器件包括：第一電極層，所述第一電極層包括第一電極，其中，在第一電極層中設(shè)置孔；電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有設(shè)置在第一電極層上的第一表面，其中，孔從第一電極層延續(xù)貫穿電介質(zhì)層；半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在電介質(zhì)層的與所述第一表面相反的第二表面上，半導(dǎo)體層包括半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料橫跨所述孔，使得所述孔終止于所述半導(dǎo)體層；以及第二電極層，所述第二電極層與電介質(zhì)層相反地設(shè)置在半導(dǎo)體層上。該方法包括：通過(guò)在第一電極和第二電極的兩端施加電壓從孔產(chǎn)生等離子體射流。
說(shuō)明性實(shí)施方式還提供了一種制造微空心陰極放電器件的方法。該方法包括制造具有第一表面和與第一表面相反的第二表面的電介質(zhì)層。該方法還包括：在第一表面上設(shè)置包括第一電極的第一電極層，其中，在第一電極層中設(shè)置孔。孔從第一電極層延續(xù)貫穿電介質(zhì)層。該方法還包括：在電介質(zhì)層的第二表面上設(shè)置半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層包括半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料橫跨孔，使得所述孔終止于所述半導(dǎo)體層。該方法還包括：在半導(dǎo)體層上與電介質(zhì)層相反地設(shè)置第二電極層。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于波音公司，未經(jīng)波音公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710252418.5/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
