[發(fā)明專利]電光裝置以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710252275.8
• 申請(qǐng)日: 2013-03-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107248397B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戶谷隆史;窪田岳彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛(ài)普生株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/3291
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/3291;H01L27/12
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有：

掃描線；

數(shù)據(jù)線；

第1晶體管，其具有第1柵極電極；

第2晶體管，其具有第2柵極電極，所述第2柵極電極與所述掃描線電連接；

第1保持容量，其對(duì)與經(jīng)由所述數(shù)據(jù)線和所述第2晶體管供給的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電荷進(jìn)行保持；

發(fā)光元件，其以與經(jīng)由所述第1晶體管供給的電流的大小對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光；以及

第1容量電極，

所述第1保持容量具有所述第1容量電極和所述第1晶體管的所述第1柵極電極，所述第1保持容量通過(guò)所述第1柵極電極和所述第1容量電極夾持第1層間絕緣層而構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

還具有第2層間絕緣層，

所述第1容量電極在所述第1層間絕緣層和所述第2層間絕緣層之間形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

所述掃描線在所述第1層間絕緣層和所述第2層間絕緣層之間形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

還具有供電線，

所述第1晶體管電連接在所述發(fā)光元件和所述供電線之間，

所述第1容量電極與所述供電線電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

還具有設(shè)置于所述第2層間絕緣層的接觸孔，

所述第1容量電極經(jīng)由所述接觸孔與所述供電線電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

在從與形成有所述第1晶體管及所述第2晶體管的基板的面垂直的方向觀察時(shí)，所述掃描線和所述第1柵極電極重疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還具備：

第3晶體管，其具有第3柵極電極，所述第3晶體管電連接在所述第1晶體管的漏極和所述第1柵極電極之間；以及

第1控制線，其與所述第3柵極電極電連接，

所述第1控制線在所述第1層間絕緣層和所述第2層間絕緣層之間形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

在從與形成有所述第1晶體管及所述第2晶體管的基板的面垂直的方向觀察時(shí)，所述第1控制線和所述第1柵極電極重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，還具備：

第4晶體管，其具有第4柵極電極，所述第4晶體管電連接在所述第1晶體管的漏極和所述發(fā)光元件之間；

第2控制線，其與所述第4柵極電極電連接，

所述第2控制線在所述第1層間絕緣層和所述第2層間絕緣層之間形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，

在從與形成有所述第1晶體管及所述第2晶體管的基板的面垂直的方向觀察時(shí)，所述第2控制線和所述第1柵極電極重疊。

11.一種電子設(shè)備，其特征在于，

具備權(quán)利要求1至10中的任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置。