[發(fā)明專利]非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)及防止其產(chǎn)生編程干擾的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710252195.2
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN108666316B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬晨亮;王子嵩
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)及防止其產(chǎn)生編程干擾的方法，包括基底、至少一個(gè)存儲單元、第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)。存儲單元設(shè)置于基底上，且具有位于基底中的通道區(qū)。第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)在朝向通道區(qū)的排列方向上依序設(shè)置在基底中，且第一摻雜區(qū)最遠(yuǎn)離通道區(qū)。第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)為第一導(dǎo)電型，且第二摻雜區(qū)為第二導(dǎo)電型。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種存儲器結(jié)構(gòu)及其操作方法，且特別是涉及一種非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)及防止其產(chǎn)生編程干擾的方法。

背景技術(shù)

由于非揮發(fā)性存儲器具有存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點(diǎn)，因此許多電器產(chǎn)品中必須具備此類存儲器，以維持電器產(chǎn)品開機(jī)時(shí)的正常操作。然而，在對非揮發(fā)性存儲器中的選定存儲單元(selected cell)進(jìn)行編程操作時(shí)，常會對其附近的非選定存儲單元造成編程干擾(program disturbance)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)及防止其產(chǎn)生編程干擾的方法，由此可有效地防止產(chǎn)生編程干擾。

本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)，包括基底、至少一個(gè)存儲單元、第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)。存儲單元設(shè)置于基底上，且具有位于基底中的通道區(qū)。第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)在朝向通道區(qū)的排列方向上依序設(shè)置在基底中，且第一摻雜區(qū)最遠(yuǎn)離通道區(qū)。第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)為第一導(dǎo)電型，且第二摻雜區(qū)為第二導(dǎo)電型。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，存儲單元包括第一介電層、電荷存儲層、第二介電層與導(dǎo)體層。第一介電層設(shè)置于基底上。電荷存儲層設(shè)置于第一介電層上。第二介電層設(shè)置于電荷存儲層上。導(dǎo)體層設(shè)置于第二介電層上。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，電荷存儲層的材料例如是摻雜多晶硅或氮化硅。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，存儲單元還可包括兩個(gè)第四摻雜區(qū)。第四摻雜區(qū)設(shè)置于導(dǎo)體層兩側(cè)的基底中，且通道區(qū)位于相鄰兩個(gè)第四摻雜區(qū)之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，存儲單元的數(shù)量例如是多個(gè)，且可由存儲單元串接成存儲單元串。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，相鄰兩個(gè)存儲單元可共用一第四個(gè)摻雜區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，還可包括第五摻雜區(qū)與第六摻雜區(qū)。第五摻雜區(qū)與第六摻雜區(qū)分別設(shè)置于存儲單元串兩側(cè)的基底中。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，還可包括源極線接觸窗與位線接觸窗。源極線接觸窗電連接至第五摻雜區(qū)。位線接觸窗電連接至第六摻雜區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，還可包括第一選擇柵極結(jié)構(gòu)與第二選擇柵極結(jié)構(gòu)。第一選擇柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于第五摻雜區(qū)與存儲單元串的一末端之間。第二選擇柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于第六摻雜區(qū)與存儲單元串的另一末端之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，還可包括第一虛擬存儲單元與第二虛擬存儲單元。第一虛擬存儲單元設(shè)置于第一選擇柵極結(jié)構(gòu)與存儲單元串的一末端之間。第二虛擬存儲單元設(shè)置于第二選擇柵極結(jié)構(gòu)與存儲單元串的另一末端之間。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，排列方向例如是朝向基底的表面的方向。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，第二摻雜區(qū)的兩末端還可延伸至基底的表面，以包圍存儲單元區(qū)。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，排列方向例如是平行于通道長度方向。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)中，第一摻雜區(qū)例如是位于源極線接觸窗下方。