[發(fā)明專利]一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710251766.0 | 申請日: | 2017-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN107090291B | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉光;劉海鵬;王奕 | 申請(專利權(quán))人: | 天津納美納米科技有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/88 | 分類號: | C09K11/88 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300000*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 前軀體 核殼量子點 制備 合成 高量子效率 規(guī)模化生產(chǎn) 晶格匹配性 保護氣體 高穩(wěn)定性 光穩(wěn)定性 合成步驟 熱穩(wěn)定性 有機配體 有機溶劑 注入混合 量子點 產(chǎn)率 殼層 鋅源 鎘源 加熱 量子 計時 媒介 | ||
1.一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)將鋅源、鎘源、有機溶劑和有機配體混合攪拌均勻,然后加熱至260-320℃,整個反應(yīng)過程通入保護氣體;
(2)在攪拌狀態(tài)下,快速注入混合均勻的硒前軀體和硫前軀體;
(3)待步驟(2)中前軀體完全注入后開始計時,在0-30s內(nèi),再次注入硫前軀體;
(4)在260-300℃下,反應(yīng)1-60min。
2.如權(quán)利要求1所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于步驟(1)所述鋅源、鎘源和有機溶劑和有機配體混合后,將混合液置于120-160℃下抽真空30min-2h。
3.如權(quán)利要求1或2所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于所述鋅源與鎘源的摩爾量之比為5-100:1;鋅源和鎘源摩爾量之和與有機配體的摩爾量比例為1:2-20。
4.如權(quán)利要求3所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于步驟所述鋅源與鎘源的摩爾量之比為10-30:1;鋅源和鎘源摩爾量之和與有機配體的摩爾量比例為1:4-10。
5.如權(quán)利要求1或2所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于所述有機配體為碳原子數(shù)≥ 10 的脂肪酸、脂肪胺或者硫醇。
6.如權(quán)利要求5所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于所述有機配體為十酸、十一烯酸、十四酸,十六酸,十八酸、油酸、十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、癸硫醇、十八烷基硫醇、油胺、十八胺和十六胺中的一種或者多種。
7.如權(quán)利要求1或2所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于所述硒前軀體與所述鎘源摩爾量之比在0.5-2。
8.如權(quán)利要求1或2所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于所述步驟(2)中,硒前軀體與硫前軀體的摩爾比1:0-15。
9.如權(quán)利要求1或2所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于還包括在步驟(1)前,將所述硒前軀體與硫前軀體分別制備完成;步驟(5):將步驟(4)產(chǎn)物降溫至室溫后,加入甲醇,離心得到沉淀,再依次通過甲苯-乙醇溶解沉淀提純。
10.如權(quán)利要求1或2所述一種CdSe/CdZnSeS/ZnS核殼量子點制備方法,其特征在于所述鋅源包括醋酸鋅、氧化鋅、氯化鋅、油酸鋅、草酸鋅、十酸鋅、碳酸鋅、十一烯酸鋅、硬脂酸鋅和二乙基二硫氨基甲酸鋅中的一種或多種;所述鎘源包括鎘粉、氧化鎘、氯化鎘、草酸鎘、醋酸鎘、碳酸鎘、硬脂酸鎘、二甲基鎘、二乙基鎘、乙酰丙酮鎘、氟化鎘、碘化鎘、溴化鎘、高氯酸鎘、磷化鎘、硝酸鎘、硫酸鎘、羧酸鎘中的一種或者多種;所述硒前軀體為硒粉、三辛基硒膦、三丁基硒膦、硒醇、二硒化物、硒醚、硒代酸酯、硒代酰胺、硒吩、硒唑、硒蛋白或硒蛋氨酸的一種或者多種;所述步驟(2)和(3)的所述硫前軀體為硫粉的有機溶液、三辛基硫膦(TOPS)、三丁基硫膦(TBPS)、1- 辛硫醇、1- 十二硫醇中的一種或者多種;所述有機溶劑為1- 十六烯,1- 十八烯,十四烷,十六烷,十八烷,二十四烷、三正辛胺、三正癸胺、二正辛胺中的一種或者多種;所述保護氣體為氮氣、氦氣、氬氣、氖氣中的一種或多種。
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