[發明專利]垂直腔發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710251625.9
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN107306012B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 田澤耕明;梁吉鎬;小林靜一郎
• 申請（專利權）人: 斯坦雷電氣株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;楊薇

1.一種垂直腔發光元件，該垂直腔發光元件包括：

第一反射器，該第一反射器形成在基板上；

半導體結構層，該半導體結構層形成在所述第一反射器上，所述半導體結構層包括第一導電型的第一半導體層、有源層、以及與所述第一導電型相反的第二導電型的第二半導體層；

絕緣電流限制層，該絕緣電流限制層形成在所述第二半導體層上；

貫穿開口，該貫穿開口形成在所述電流限制層中而貫穿所述電流限制層；

透明電極，該透明電極覆蓋所述貫穿開口和所述電流限制層，所述透明電極經由所述貫穿開口與所述第二半導體層接觸；以及

第二反射器，該第二反射器形成在所述透明電極上，其中，

在所述貫穿開口中彼此接觸的、所述透明電極的對應于所述開口的部分和所述第二半導體層的對應于所述開口的部分中的至少一者包括：沿著所述貫穿開口的內周布置的第一電阻區域，和布置在所述貫穿開口的中心區域上的第二電阻區域，以及

所述第一電阻區域具有比所述第二電阻區域的電阻值高的電阻值。

2.根據權利要求1所述的垂直腔發光元件，其中，所述第一電阻區域沿著所述貫穿開口的所述內周被形成為環狀。

3.根據權利要求1所述的垂直腔發光元件，其中，在所述透明電極的對應于所述開口的部分中的所述第一電阻區域包括：形成在所述第二半導體層上的多個島，并且所述多個島各包括具有透光性的電介質。

4.根據權利要求1所述的垂直腔發光元件，其中，在所述透明電極的對應于所述開口的部分中的所述第一電阻區域的平均厚度小于所述第二電阻區域的平均厚度。

5.根據權利要求4所述的垂直腔發光元件，其中，在所述透明電極的對應于所述開口的部分中的所述第二電阻區域的厚度恒定，并且所述第一電阻區域的厚度朝向所述貫穿開口的邊緣持續減小。

6.根據權利要求1所述的垂直腔發光元件，其中，在所述第二半導體層的對應于所述開口的部分中的所述第一電阻區域是成分原子空缺區域，在該成分原子空缺區域中所述第二半導體層中的成分原子與所述第二電阻區域相比不足。

7.一種用于制造垂直腔發光元件的方法，該方法包括以下步驟：

在基板上形成第一反射器；

在所述第一反射器上形成半導體結構層，該半導體結構層包括第一導電型的第一半導體層、有源層、以及與所述第一導電型相反的第二導電型的第二半導體層；

在所述第二半導體層上形成絕緣電流限制層；

在所述電流限制層中形成貫穿開口以貫穿所述電流限制層；

將透明電極形成為覆蓋所述貫穿開口和所述電流限制層，且經由所述貫穿開口與所述第二半導體層接觸；以及

在所述透明電極上形成第二反射器，其中，

在所述電流限制層中形成所述貫穿開口的步驟與形成所述透明電極的步驟之間，所述方法包括以下步驟：

將保護圖案形成為覆蓋所述第二半導體層的在所述貫穿開口中露出的中心部分，并且對所述第二半導體層的在所述中心部分周圍的露出部分執行等離子體處理，從而在所述第二半導體層的對應于所述開口的部分中，將第一電阻區域形成為沿著所述貫穿開口的內周布置，并且將第二電阻區域形成為布置在所述貫穿開口的中心區域上，且具有比所述第一電阻區域的電阻值小的電阻值。