[發明專利]DEMUX電路

有效

• 申請號: 201710250566.3
• 申請日: 2017-04-17
• 公開（公告）號: CN107016970B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 郝思坤
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂;劉巍

本發明提供一種DEMUX電路。該DEMUX電路包括：數據總線，第一、第二及第三數據線，分別連接于數據總線和相應的第一、第二及第三數據線之間的第一、第二及第三單元；每個單元分別包括第一薄膜晶體管，第二薄膜晶體管，第三薄膜晶體管以及電容，并且輸入相應的第一、第二及第三開關信號；對于每個單元，工作時，當第一開關信號打開時，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管打開，對應的數據線預充電；然后當第一開關信號關閉，第二開關信號打開時，對應的數據線充電至預設電位。本發明的DEMUX電路可以提高TFT柵極驅動電壓，進而提高IGZO和Amorphous Silicon制程TFT的電子遷移率，提升數據線充電率。

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種DEMUX電路。

背景技術

液晶顯示器是目前使用最廣泛的一種平板顯示器，已經逐漸成為各種電子設備如移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。隨著液晶顯示器技術的發展進步，人們對液晶顯示器的顯示品質，外觀設計等提出了更高的要求，低成本和窄邊框成為人們追求的目標。

解復用器(demultiplexer,簡寫DEMUX)，用于把一個信號通道分解為多個信號通道，在中小尺寸液晶顯示器中被廣泛采用。在液晶顯示器中，DEMUX通常搭配LTPS(低溫多晶硅)制程，LTPS制程制作的TFT(薄膜晶體管)器件電子遷移率高，可以滿足DEMUX需求。

隨著液晶顯示器向低成本方向發展，IGZO(氧化銦鎵鋅)制程和AmorphousSilicon(非晶硅)制程也有使用DEMUX的需求，但是由于IGZO制程和Amorphous Silicon制程制作的器件，電子遷移率比LTPS低很多，使用DEMUX后影響面板的充電率。

在現有LCD驅動架構中，像素陣列(Pixel array)周圍布置了各類走線及電路，包括柔性電路板焊盤(FPC Pad)，芯片焊盤(IC Pad)，陣列外布線(WOA)，扇出(Fanout)，解復用器(DE-MUX)，ESD SR(靜電放電SR(觸發器))，陣列基板行驅動(GOA)，以及公共總線/靜電放電(Com Bus/ESD)，本發明內容涉及DE-MUX。

圖1所示為已有LCD中使用的DEMUX電路。該DEMUX電路包括三個薄膜晶體管，該三個薄膜晶體管的柵極分別輸入信號SW1，SW2及SW3，源極/漏極分別連接Data Bus(數據總線)N，漏極/源極分別連接Data Line(數據線)3N，3N+1以及3N+2；信號SW1，SW2及SW3按照預設時序控制各個薄膜晶體管的打開與關閉，當薄膜晶體管打開時，Data Bus N可與相應的Data Line連通并向其充電。該種DEMUX電路通常搭配LTPS制程，由于LTPS制程的電子遷移率比較高，使用該種DE-MUX電路仍然可以維持比較高的數據線(Data line)充電率。隨著液晶顯示器向低成本方向發展，IGZO制程和Amorphous Silicon制程也有使用DEMUX的需求，但是由于IGZO制程和Amorphous Silicon制程制作的器件，電子遷移率比LTPS低很多，使用DEMUX后影響面板的充電率。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種DEMUX電路，提升IGZO和Amorphous Silicon制程DEMUX的充電率。

為實現上述目的，本發明提供了一種DEMUX電路，包括：

數據總線，第一、第二及第三數據線，分別連接于數據總線和相應的第一、第二及第三數據線之間的第一、第二及第三單元；