[發(fā)明專利]光纖預制棒的噴燈有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710249651.8 | 申請日: | 2017-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN107056042B | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田國才;肖華;王友兵;趙奉闊;屠建賓 | 申請(專利權)人: | 江蘇亨通光導新材料有限公司;江蘇亨通光電股份有限公司 |
| 主分類號: | C03B37/014 | 分類號: | C03B37/014 |
| 代理公司: | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人: | 韓鳳 |
| 地址: | 215200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 預制 噴燈 | ||
本發(fā)明提供一種光纖預制棒的噴燈,所述噴燈包括燈芯、位于該燈芯外面且為燈芯加熱的加熱帶、與該燈芯連接的燈體、與該燈體連接的分流板、以及與分流板連接的噴燈頭,所述燈芯為三層同心管燈芯,該三層同心管燈芯由內(nèi)至外分別設有第一層、第二層、以及第三層。本發(fā)明噴燈的燈芯呈三層同心管狀,即可以滿足原料(如OMCTS)中心有足夠的氧氣是原料充分反應;本發(fā)明從根本上解決了噴燈中心原料管和氧氣混合生產(chǎn)過程中容易發(fā)生開環(huán)產(chǎn)生凝膠而使燈芯產(chǎn)生堵塞和因同心圓出氣孔相互間距設計不好,出氣孔容易積SiOsubgt;2/subgt;顆粒造成氣孔堵塞的問題,保證了沉積過程的穩(wěn)定性生產(chǎn)出高品質的預制棒,增加外Osubgt;2/subgt;使噴燈沉積火焰形狀聚集不發(fā)散,大大提高了噴燈火焰的穩(wěn)定性和原料利用率。
技術領域
本發(fā)明屬于光纖預制棒制造的技術領域,尤其涉及一種光纖預制棒的噴燈。
背景技術
在現(xiàn)有的光纖預制棒制造方法中,多采用軸向氣相沉積法(VAD)生產(chǎn)芯棒,再用外部氣相沉積法(OVD)生產(chǎn)外包層兩步法生產(chǎn)光纖預制棒。傳統(tǒng)的OVD工藝一直采用SiCl4作為主要轉化為二氧化硅的含硅原料,采用SiCl4為原料生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生大量的HCl,需要投入大量的處理費用和高昂的防腐設備,并且還會消耗大量的水資源,無鹵素含硅原料替代SiCl4原料可以避免以上缺點從而降低光纖預制棒生產(chǎn)成本,如硅氧烷作為替代SiCl4原料已有專利對其描述。
研究發(fā)現(xiàn),在生產(chǎn)二氧化硅中使用硅氧烷,特別是八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)所用噴燈和采用SiCl4為原料使用的噴燈因所反應原理分別為水解和氧化而存在差異。美國專利5599371公開發(fā)一種用于OMCTS原料的氧化反應的噴燈,該噴燈中心原料管和氧氣混合生產(chǎn)過程中容易發(fā)生開環(huán)產(chǎn)生凝膠而使燈芯產(chǎn)生堵塞,另一個問題是出氣孔相互間距設計不好,出氣孔容易積SiO2顆粒造成氣孔堵塞,上述兩個問題均會造成生產(chǎn)的SiO2煙灰棒質量異常。
故有必要設計一種新的噴燈。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種保證了沉積過程的穩(wěn)定性生產(chǎn)出高品質的預制棒的光纖預制棒的噴燈。
本發(fā)明提供一種光纖預制棒的噴燈,所述噴燈包括燈芯、位于該燈芯外面且為燈芯加熱的加熱帶、與該燈芯連接的燈體、與該燈體連接的分流板、以及與分流板連接的噴燈頭,所述燈芯為三層同心管燈芯,該三層同心管燈芯由內(nèi)至外分別設有第一層、第二層、以及第三層。
優(yōu)選地,所述第一層內(nèi)通入氧氣;所述第二層內(nèi)通入八甲基環(huán)四硅氧烷和氮氣;所述第三層通入隔離氣體。
優(yōu)選地,所述隔離氣體為氮氣。
優(yōu)選地,所述第一層內(nèi)通入氧氣的流量為2~7?slpm;所述第二層內(nèi)通入八甲基環(huán)四硅氧烷的流量為10~20g/min,氮氣的流量為5~15slpm;所述第三層通過氮氣的流量為10~20slpm。
優(yōu)選地,所述噴燈還包括同心圓設置的多個第一出氣孔、多個第二出氣孔、以及多個第三出氣孔,其中,多個第一出氣孔位于同一圓周內(nèi),多個第二出氣孔也位于同一圓周內(nèi),多個第三出氣孔也位于同一圓周內(nèi),且多個第一出氣孔、多個第二出氣孔、以及多個第三出氣孔由內(nèi)向外依序設置。
優(yōu)選地,每個第一出氣孔、每個第二出氣孔、以及每個第三出氣孔的直徑均為D,相鄰兩個第一出氣孔之間的間距、相鄰兩個第二出氣孔之間的間距、相鄰兩個第三出氣孔之間的間距均為S,其中,S與D之間的關系為:0.3≤S/D≤0.9。
優(yōu)選地,所述第一出氣孔內(nèi)通入反應氧氣至噴燈頭,第二出氣孔內(nèi)通入天然氣和氧氣至噴燈頭,第三出氣孔內(nèi)通過氧氣至噴燈頭。
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