[發(fā)明專利]發(fā)光二極管磊晶結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710249399.0 | 申請日： | 2017-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN107403858A | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊仲傑;王德忠 | 申請（專利權）人： | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發(fā)光二極管 結構 | ||
1.一種發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，包含：
一基板；
一緩沖層，設置于該基板上；
一第一半導體層，設置于該緩沖層上；
一發(fā)光層，設置于該第一半導體層上；
一中介層，設置于該發(fā)光層上，其中該中介層的材質為P型氮化鋁；
一第二半導體層，設置于該中介層上，其中該第二半導體層的材質為P型氮化鋁鎵；以及
一接觸層，設置于該第二半導體層上。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該中介層的厚度小于或等于該第二半導體層的厚度。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該中介層的厚度為1nm至10nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該第二半導體層的厚度為10nm至50nm。
5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該中介層的摻雜濃度小于或等于該第二半導體層的摻雜濃度。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該中介層的摻雜濃度為1×1017(atom/cm3)至2×1018(atom/cm3)。
7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該第二半導體層的摻雜濃度為2×1018(atom/cm3)至3×1019(atom/cm3)。
8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該中介層與該第二半導體層為摻雜鎂。
9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該中介層的鋁重量百分比大于該第二半導體層的鋁重量百分比。
10.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管磊晶結構，其特征在于，該發(fā)光層所發(fā)射的光線的波長包含波長小于或等于280nm的光線。
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