[發(fā)明專利]一種用于處理腔室的改進側(cè)注入噴嘴設計

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710249028.2
• 申請日: 2017-04-17
• 公開（公告）號: CN107403714B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 阿古斯·索菲安·查德拉;馬丁·J·里普利
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于處理基板的設備，所述設備包括：

腔室主體，所述腔室主體包括氣體入口和氣體出口，所述氣體入口安置在所述腔室主體的側(cè)壁的第一側(cè)上，所述氣體出口安置在所述腔室主體的所述側(cè)壁的第二側(cè)上，所述第一側(cè)與所述第二側(cè)相對；

基板支撐件，安置在所述腔室主體中，其中所述基板支撐件具有基板支撐表面；

排氣組件，耦接至所述腔室主體的所述氣體出口；和

側(cè)氣體組件，安置在所述腔室主體的所述側(cè)壁的第三側(cè)上，所述第三側(cè)位于所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間，其中所述側(cè)氣體組件包括沿朝向所述腔室主體的所述氣體出口的方向成角度并延伸的氣體通道，且所述氣體通道可操作以在與所述基板支撐表面的邊緣相切的方向或接近所述基板支撐表面的邊緣的方向提供氣流，其中所述氣體入口與第一氣源和第二氣源流體連通，且所述側(cè)氣體組件與第三氣源流體連通，所述第一氣源與所述第二氣源在化學成分上不同，且所述第三氣源是遠程等離子體源。

2.如權(quán)利要求1所述的設備，其中所述基板支撐件可操作以沿順時針或逆時針方向旋轉(zhuǎn)。

3.一種用于處理基板的設備，所述設備包括：

腔室主體，界定在所述腔室主體中的處理容積，所述腔室主體具有安置在所述腔室主體的側(cè)壁中的氣體入口和與所述氣體入口相對的氣體出口；

基板支撐件，安置在所述處理容積中，其中所述基板支撐件具有基板支撐表面；

排氣組件，所述排氣組件與所述腔室主體的出口流體連通；以及

側(cè)氣體組件，耦接至所述腔室主體的所述側(cè)壁，其中所述側(cè)氣體組件在不同于所述腔室主體的所述氣體入口和所述氣體出口的一側(cè)上，并且所述側(cè)氣體組件包括沿朝向所述腔室主體的所述出口的方向成角度并延伸的氣體通道。

4.如權(quán)利要求3所述的設備，進一步包括：

氣源組件，所述氣源組件與所述腔室主體的所述氣體入口流體連通，其中所述氣源組件包含第一氣源和第二氣源，并且所述第一氣源和所述第二氣源在化學成分上不同。

5.如權(quán)利要求4所述的設備，其中所述側(cè)氣體組件與第三氣源流體連通，其中所述第三氣源和所述第一氣源在化學成分上不同。

6.如權(quán)利要求5所述的設備，其中所述第一氣源包含含氧氣體，且所述第二氣源和第三氣源的每一個包含含氫氣體。

7.如權(quán)利要求6所述的設備，其中所述含氫氣體是氫自由基。

8.如權(quán)利要求4所述的設備，其中所述側(cè)氣體組件與第三氣源流體連通，所述第三氣源包含含氧氣體或含氧氣體和含氫氣體的氣體混合物。

9.?如權(quán)利要求3所述的設備，其中所述側(cè)氣體組件可操作以沿流動路徑自所述氣體通道提供氣流，所述流動路徑在距所述基板支撐表面的切線5?mm至10?mm的距離處，并且所述切線平行于所述流動路徑。