[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710248771.6 | 申請日: | 2017-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN107452614B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳宏豪;張哲誠;曾鴻輝;陳文棟;劉又誠 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/311 | 分類號: | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件和制造方法,其中,圖案化鈍化層。在實施例中,使用相同的蝕刻室去除來自圖案化工藝的副產(chǎn)物并且同時去除在圖案化工藝中利用的光刻膠。在FinFET器件的制造期間,可以使用這種工藝。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例提供了半導(dǎo)體器件和制造方法。
背景技術(shù)
由于集成電路(IC)的發(fā)明,各個電組件(例如,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續(xù)改進,半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長。對于大部分而言,這種集成密度的改進來自于最小部件尺寸的反復(fù)減小,這使得更多的組件集成到給定的區(qū)域。
然而,僅減小晶體管、二極管、電阻器、電容器等的最小部件尺寸僅僅是試圖減小半導(dǎo)體器件的整體尺寸時可以改進的一個方面。目前正在審查的其它方面包括半導(dǎo)體器件的其它方面。用于減小尺寸的這些其它結(jié)構(gòu)的改進正在被研究。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:在半導(dǎo)體襯底上方形成介電層;圖案化位于所述介電層上方的光刻膠;將所述半導(dǎo)體襯底和所述光刻膠放置到蝕刻室;使用蝕刻工藝將所述光刻膠的圖案轉(zhuǎn)移至所述介電層;以及在從所述蝕刻室去除所述光刻膠之前去除所述光刻膠。
本發(fā)明的另一實施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:將光刻膠沉積在襯底上方的介電材料上;圖案化所述光刻膠;穿過所述光刻膠蝕刻所述介電材料,其中,蝕刻所述介電材料使用來自第一氧源的氧氣作為至少一種反應(yīng)物;以及在蝕刻所述介電材料之后,去除所述光刻膠,其中,去除所述光刻膠使用來自所述第一氧源的氧氣。
本發(fā)明的又一實施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:圖案化光刻膠以暴露介電材料并且形成圖案化的光刻膠;穿過所述圖案化的光刻膠干蝕刻所述介電材料;直接在干蝕刻所述介電材料之后,實施襯墊去除工藝;以及直接在所述襯墊去除工藝之后,灰化所述光刻膠,其中,所述干蝕刻、所述襯墊去除工藝和所述灰化均在單個蝕刻室內(nèi)實施。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時,從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該指出,根據(jù)工業(yè)中的標準實踐,各個部件未按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1示出了根據(jù)一些實施例的具有第一鈍化層和第二鈍化層的半導(dǎo)體器件。
圖2示出了根據(jù)一些實施例的可以用于圖案化第二鈍化層的蝕刻室。
圖3A至圖3B示出了根據(jù)一些實施例的來自蝕刻工藝的副產(chǎn)物的去除。
圖4至圖18C示出了根據(jù)一些實施例的可以利用的FinFET工藝以及第二鈍化層的圖案化。
具體實施方式
以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗O旅婷枋隽私M件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然,這些僅僅是實例,而不旨在限制本發(fā)明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件,從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實例。此外,本發(fā)明可在各個實施例中重復(fù)參考標號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
此外,為便于描述,在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對術(shù)語,以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外,空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上),而本文使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





