[發明專利]一種含氰廢水深度處理系統和方法有效
| 申請號: | 201710248578.2 | 申請日: | 2017-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN107417016B | 公開(公告)日: | 2020-01-24 |
| 發明(設計)人: | 吳思國;王丹丹;陳福明;盧偉;張祖江 | 申請(專利權)人: | 深圳清華大學研究院 |
| 主分類號: | C02F9/06 | 分類號: | C02F9/06;C02F101/18 |
| 代理公司: | 44271 深圳市惠邦知識產權代理事務所 | 代理人: | 孫菊梅 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 廢水 深度 處理 系統 方法 | ||
1.一種含氰廢水深度處理系統,其特征在于:包括依次通過管道連接的原水池、一級填充床電解槽、二級填充床電解槽、暫存池、精密過濾器、反滲透水處理設備,在原水池和一級填充床電解槽之間設有進水泵將原水池中的廢水泵入一級填充床電解槽,在暫存池和精密過濾器之間設有高壓泵將暫存池中的廢水泵入精密過濾器,所述一級填充床電解槽內粒子電極粒徑為3-5mm,比表面積大于或等于1000㎡/g,中孔率50-70%,所述二級填充床電解槽內粒子電極粒徑為1-3mm,比表面積大于或等于1200㎡/g,中孔率50-70%。
2.如權利要求1所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:所述一級填充床電解槽和二級填充床電解槽均為長方體,在一級填充床電解槽和二級填充床電解槽內分別設置有正、負平板式電極。
3.如權利要求2所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:所述一級填充床電解槽和二級填充床電解槽的正、負平板式電極間距均為300-800mm,所述一級填充床電解槽和二級填充床電解槽的正、負平板式電極高度300-1000mm,寬度為60-600mm,厚度為10-30mm。
4.如權利要求2所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:所述一級填充床電解槽和二級填充床電解槽的正、負平板式電極為石墨材質,椰殼顆?;钚蕴孔鳛榱W与姌O填充在一級填充床電解槽和二級填充床電解槽的正、負平板式電極之間。
5.如權利要求4所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:所述椰殼顆?;钚蕴吭谝患壧畛浯搽娊獠酆投壧畛浯搽娊獠蹆扔啥嗫字伟宄型?,在所述多孔支撐板下方設有曝氣裝置。
6.如權利要求1所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:所述一級填充床電解槽工作電壓在40-200V,二級填充床電解槽工作電壓在60-200V。
7.如權利要求1所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:所述一級填充床電解槽采用直流電源,二級填充床電解槽采用脈沖電源。
8.如權利要求1所述的含氰廢水深度處理系統,其特征在于:在反滲透水處理設備的濃水側和原水池之間設有管道,通過所述管道使反滲透水處理設備產生的濃水流入原水池。
9.一種采用權利要求1的處理系統深度處理含氰廢水的方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)將原水池內待處理含氰廢水泵入一級填充床電解槽,一級填充床電解槽工作電壓范圍為40-200V,電解時間為10-60min;
(2)經一級填充床電解槽處理后的廢水溢流進入二級填充床電解槽,二級填充床電解槽工作電壓范圍為60-200V,電解時間為10-20min;
(3)經二級填充床電解槽處理后的廢水溢流進入暫存池;
(4)通過高壓泵將暫存池內廢水輸送至精密過濾器,過濾精度為1-5μm;
(5)精密過濾器出水進入反滲透水處理設備,產生的純水輸送至生產線,反滲透濃水通過管道流入原水池與待處理含氰廢水一同進入一級填充床電解槽進行處理。
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