[發明專利]可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置有效
| 申請號: | 201710247963.5 | 申請日: | 2017-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN108735646B | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
| 發明(設計)人: | 盧彥豪 | 申請(專利權)人: | 梭特科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 兼用 正面 反面 裝置 | ||
本發明提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,包含第一移轉機構、第二移轉機構及第三移轉機構,第二移轉機構的第二旋轉路徑相接于第一旋轉路徑,第三移轉機構的第三旋轉路徑相接于第一旋轉路徑及第二旋轉路徑,目標晶粒依序通過第一移轉構件及第二移轉構件的移轉,而自晶粒供應面移轉目標晶粒至置晶承托面,或者目標晶粒依序通過第一移轉構件、第三移轉構件及第二移轉構件的移轉,而自晶粒供應面移轉目標晶粒至置晶承托面,其中目標晶粒每經過一次移轉則翻面,以通過移轉的次數決定目標晶粒以正面或反面置晶于置晶承托面。
技術領域
本發明涉及一種置晶裝置,特別是涉及一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置。
背景技術
在半導體晶圓級封裝的制程中,必須將晶圓切割成復數晶粒,再從中挑出良品,重新配置到基板上以進行后續的加工。在重新配置的過程中,為配合不同的制程需求,可能采取正面置晶或反面置晶。
然而,由于裝置結構的問題,傳統的正面置晶裝置及反面置晶裝置大多無法共容于同一機臺,導致廠商必須分別購買正面置晶裝置及反面置晶裝置,不僅成本因此提高、占用空間龐大,若要從正面置晶的流程切換成反面置晶則需更換機臺,相當不方便。另一方面,或有共容于同一機臺者,則受限于使用水平移載的置晶裝置,其正面置晶所費時間較反面置晶所費時間長,導致正面置晶效率差。
發明內容
因此,為解決上述問題,本發明的目的即在提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置。
本發明為解決現有技術的問題所采用的技術手段提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,包含:第一移轉機構,包括第一移轉構件,該第一移轉構件經設置而繞第一旋轉軸線沿第一旋轉路徑旋轉;第二移轉機構,包括第二移轉構件,該第二移轉構件經設置而繞第二旋轉軸線沿第二旋轉路徑旋轉,該第二旋轉路徑相接于該第一旋轉路徑;以及第三移轉機構,包括第三移轉構件,該第三移轉構件經設置而繞第三旋轉軸線沿第三旋轉路徑旋轉,該第三旋轉路徑相接于該第一旋轉路徑以及該第二旋轉路徑,其中,待置晶的目標晶粒依序通過該第一移轉構件及該第二移轉構件的移轉,而經由該第一旋轉路徑及該第二旋轉路徑自晶粒供應面移轉該目標晶粒至置晶承托面,或者該目標晶粒依序通過該第一移轉構件、該第三移轉構件及該第二移轉構件的移轉,而經由該第一旋轉路徑、該第三旋轉路徑及該第二旋轉路徑自該晶粒供應面移轉該目標晶粒至該置晶承托面,以及該第一移轉構件、該第二移轉構件及該第三移轉構件中任二者之間的移轉以對接的方式進行,該對接的方式分別吸取該目標晶粒的相反兩面而移轉晶粒,而使該目標晶粒每經過一次移轉則翻面,以通過移轉的次數決定該目標晶粒以正面或反面置晶于該置晶承托面。
在本發明的一實施例中提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,該第一旋轉軸線、該第二旋轉軸線及該第三旋轉軸線互相平行。
在本發明的一實施例中提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,該第二旋轉軸線為平行于該置晶承托面,且該第二移轉機構經設置而平行于該置晶承托面而移動。
在本發明的一實施例中提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,還包含第四移轉機構,包括第四移轉構件,該第四移轉構件經設置而繞第四旋轉軸線沿第四旋轉路徑旋轉,該第四旋轉路徑相接于該第二旋轉路徑,以使該目標晶粒在該第二移轉構件的移轉后,更通過該第四移轉構件的移轉而移轉該目標晶粒至該置晶承托面。
在本發明的一實施例中提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,該第三移轉機構固定設置于該第一移轉機構及該第二移轉機構之間。
在本發明的一實施例中提供一種可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶裝置,該第二移轉機構具有多個第二移轉構件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





