[發(fā)明專(zhuān)利]一種超薄材料-金屬新型接觸電極有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710247377.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106972069B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴道鋅;尹延龍;李江 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 杭州求是專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 超薄 材料 金屬 新型 接觸 電極 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種超薄材料?金屬新型接觸電極。包括襯底以及置于襯底上的超薄材料和多層金屬電極,超薄材料的全部或者其中一部分位于金屬電極間,使得超薄材料的上下表面分別與金屬電極接觸,電流分別經(jīng)多層金屬電極從超薄材料的上表面和下表面流入到超薄材料中。本發(fā)明使得接觸電導(dǎo)率增加,接觸電阻減小,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制作方便,利于集成,可以直接應(yīng)用在目前的超薄材料光電子器件中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及超薄材料光電探測(cè)器、光電調(diào)制器等光電子器件,尤其是涉及了一種超薄材料-金屬新型接觸電極,能有效地降低超薄材料與金屬的接觸電阻。
背景技術(shù)
超薄材料具有很好的柔性,易于與半導(dǎo)體器件集成,在光學(xué)和電學(xué)方面也有著優(yōu)異的性質(zhì)。比如最早被發(fā)現(xiàn)的石墨烯超薄材料,憑借其獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì),受到了廣泛關(guān)注。石墨烯的零帶隙,使其具有紫外到遠(yuǎn)紅外的寬吸收光譜;高載流子遷移率,能夠用于制作高速響應(yīng)的光電子器件;高熱導(dǎo)率,相比于傳統(tǒng)的金屬加熱器,具有更高的熱效率;與傳統(tǒng)半導(dǎo)體易于形成肖特基結(jié)構(gòu),能夠制作光電導(dǎo)器件;易于與半導(dǎo)體器件集成等。因此,超薄材料在光電探測(cè)器,光電調(diào)制器,加熱/導(dǎo)熱器等光電子器件方面也有著巨大的潛力。
對(duì)于超薄材料光電探測(cè)器、光電調(diào)制器等光電子器件,除了關(guān)注其響應(yīng)度、調(diào)制深度以及工作波段之外,響應(yīng)速度也是一個(gè)非常重要的指標(biāo),而影響超薄材料光電子器件響應(yīng)速度的一個(gè)重要物理量就是超薄材料與金屬電極的接觸電阻。在超薄材料與金屬接觸系統(tǒng)中,超薄材料表面缺乏與金屬的鍵合位點(diǎn),影響了超薄材料與金屬之間電子的層間隧穿,導(dǎo)致超薄材料與金屬接觸電導(dǎo)率受限。一種方法是通過(guò)選擇不同種類(lèi)的金屬或者金屬組合以及金屬電極的厚度優(yōu)化,提升金屬與超薄材料的接觸電阻的電導(dǎo)率;另外一種就是采用金屬與超薄材料邊緣接觸的方法。但是這兩種方法對(duì)工藝要求很高,還需要對(duì)金屬的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),工藝復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決背景技術(shù)中存在的問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提出了一種超薄材料-金屬新型接觸電極,用于超薄材料并且具有低接觸電阻,能夠有效的降低材料與金屬電極的接觸電阻,從而大大提高超薄材料光電器件的響應(yīng)速度或者調(diào)制速度。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案:
本發(fā)明包括二氧化硅等絕緣襯底,多層金屬電極和超薄材料;
包括襯底以及置于襯底上的超薄材料和多層金屬電極,超薄材料的全部或者其中一部分位于金屬電極間,使得超薄材料的上下表面分別與金屬電極接觸。
方案一是將超薄材料位于部分多層金屬電極中間,
方案二是將超薄材料也可以位于全部的多層金屬電極之間,具體工藝上通過(guò)外接導(dǎo)線(xiàn)的方法將不同層的金屬電極連通,起到和方案一相同的作用。
本發(fā)明提出的電極結(jié)構(gòu)創(chuàng)新點(diǎn)在于:電流不是從單側(cè)電極流入二維或者薄膜材料,而是從多側(cè)或多層金屬電極流入二維或者薄膜材料。具體來(lái)說(shuō)是:電流從兩層金屬電極流入,電流分別經(jīng)多層金屬電極從超薄材料的上表面和下表面流入到超薄材料中,使得金屬電極和超薄材料之間的接觸電阻減小。
多層金屬電極可以相接觸,也可以不接觸,但均有電流流入二維或者薄膜材料。
一種具體實(shí)施方式是包括襯底以及置于襯底上的超薄材料和上下兩層金屬電極,兩層金屬電極置于襯底上的一側(cè),超薄材料其中一部分置于襯底上另一側(cè),超薄材料另一部分位于兩層金屬電極的一部分之間,兩層金屬電極另一部分表面直接相接觸,使得超薄材料一部分的上下表面分別與上下兩層金屬電極接觸。
一種具體實(shí)施方式是包括襯底以及置于襯底上的超薄材料和上下兩層金屬電極,超薄材料全部置于下層金屬電極和上層金屬電極之間,使得從下到上依次為下層金屬電極、超薄材料和上層金屬電極,超薄材料全部上下表面分別與上下兩層金屬電極接觸,兩層金屬電極表面之間不接觸而通過(guò)引線(xiàn)連接。
具體實(shí)施中下層金屬電極的面積大于上層金屬電極,使得方便引線(xiàn)連接。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué),未經(jīng)浙江大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710247377.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





