[發明專利]一種催化CVD法自生長石墨烯透明導電薄膜的方法在審
| 申請號： | 201710247244.3 | 申請日： | 2017-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN107215858A | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發明（設計）人： | 王兵;王蘊玉;劉志強;伊曉燕;王軍喜;王國宏;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C01B32/186 | 分類號： | C01B32/186;H01L33/42 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 催化 cvd 生長 石墨 透明 導電 薄膜 方法 | ||
1.一種催化CVD法自生長石墨烯透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：制備銅箔包覆；
S2：將銅箔包覆置于襯底的周圍，形成銅箔包覆和襯底的貼近式非接觸放置；
S3：在周圍置有銅箔包覆的襯底上形成石墨烯薄膜。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將所述銅箔包覆作為催化劑，采用化學氣相沉積法制備石墨烯薄膜。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅箔包覆和襯底的貼近方式為上層貼近或夾層包覆。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
所述的銅箔包覆的厚度為0.1mm-5mm；
所述銅箔包覆與襯底的距離為0.01-100cm。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜具有1-30層單原子石墨層。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底材料包括藍寶石、硅片、氮化鋁基板、碳化硅基板、GaN基板或GaN基LED結構。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅箔包覆材料包括金屬Cu或Ni、Ti、W金屬與Cu的合金材料。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅箔包覆作為催化劑在高溫下變成銅蒸汽，可加速碳源分解。
9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3包括：
將周圍置有銅箔包覆的襯底置于CVD反應室中，通入保護氣體；
升高溫度，通入氫氣，同時通入碳源前驅體，進行反應；
切斷碳源前驅體和氫氣，降為室溫。
10.一種催化CVD法自生長石墨烯透明導電薄膜，其特征在于，通過權利要求1-9任一項所述的制備方法制備形成。
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