[發(fā)明專利]一種銅摻雜碲化鉍復(fù)合電熱材料的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710246421.6 | 申請日: | 2017-04-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106992246A | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州思創(chuàng)源博電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L35/34 | 分類號(hào): | H01L35/34;H01L35/16;H01L35/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215009 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 碲化鉍 復(fù)合 電熱 材料 制備 方法 | ||
1.一種銅摻雜碲化鉍復(fù)合電熱材料的制備方法,該方法包括如下步驟:
(1)制備碲化鉍基復(fù)合熱電材料粉體
提供微米尺度的碲化鉍基熱電材料粉體,所述碲化鉍基熱電材料粉體的組成式為:Bi2-ySbyCuxTe3-x,1≤x≤2,1≤y≤1.5
采用電化學(xué)法將Cu插入所述碲化鉍基熱電材料粉體的C軸層間,控制所述電化學(xué)法中的電流大小及反應(yīng)時(shí)間,得到所需插層量的Cu插層碲化鉍基熱電材料粉體;
采用電化學(xué)法將Cu從所述Cu插層碲化鉍基熱電材料粉體的C軸層間全部或部分脫出,在此過程中由于Cu的插入脫出使得原碲化鉍基合金熱電材料部分粉碎并納米化,形成納米/微米復(fù)合尺度碲化鉍基熱電材料粉體;
通過控制充放電條件控制鋰插層量與脫層量的差值,從而控制殘留的Cu含量;
將所述納米/微米復(fù)合尺度碲化鉍基熱電材料粉體在非極性溶劑中反復(fù)洗滌,并在非氧化氣氛下烘干,得到碲化鉍基復(fù)合熱電材料粉體;
(2)將碲化鉍基復(fù)合熱電材料粉體在惰性氣體保護(hù)下球磨后得納米碲化鉍基復(fù)合熱電材料粉末;所述球磨的轉(zhuǎn)速為400-600rpm,時(shí)間為3-4h;
(3)利用放電等離子燒結(jié)系統(tǒng)在真空或惰性氣體保護(hù)下對所得碲化鉍基復(fù)合熱電材料粉末進(jìn)行放電等離子燒結(jié),得到所述銅摻雜碲化鉍復(fù)合電熱材料;所述放電等離子燒結(jié)的條件為:升溫速率為100-150℃/min,燒結(jié)溫度為900-1050℃,燒結(jié)壓力為60-85MPa,保溫時(shí)間為15-20min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州思創(chuàng)源博電子科技有限公司,未經(jīng)蘇州思創(chuàng)源博電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710246421.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L35-00 包含有一個(gè)不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電器件,即顯示出具有或不具有其他熱電效應(yīng)或其他熱磁效應(yīng)的Seebeck效應(yīng)或Peltier 效應(yīng)的熱電器件;專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備;這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點(diǎn)引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進(jìn)行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點(diǎn)處進(jìn)行熱交換的方法區(qū)分的





