[發明專利]二次電池用多孔性隔膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201710245907.8
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107452924B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 金惠真;郭元燮;樸珉相
• 申請（專利權）人: SK新技術株式會社;愛思開高新信息電子材料株式會社
• 主分類號: H01M50/449
• 分類號: H01M50/449;H01M50/431;H01M50/403
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;王朋飛

1.一種多孔性隔膜，通過原子層沉積工藝在多孔性基材上形成無機氧化物層，其特征在于，在上述多孔性基材的表面，朝向中心方向所述無機氧化物層的厚度減少，并滿足以下關系式Ⅰ及Ⅱ，使得多孔性隔膜的縱向熱收縮率為3％以下、橫向熱收縮率為10％以下，多孔性隔膜的氣透率為500sec/100cc以下，金屬前驅體的注入速度為50sccm至700sccm，氧化劑的注入速度為50sccm至700sccm，注入金屬前驅體的時間為0.1≤ts≤30，單位為s，注入氧化劑的時間為0.1≤tr≤40，單位為s，原子層沉積工藝的反復次數為20次至200次，表面的無機氧化物層的厚度為0.5≤Ts≤40，單位為nm：

關系式Ⅰ：8≤{(10ts+tr)×C}/100

ts為注入金屬前驅體的時間，單位為s，tr為注入氧化劑的時間，單位為s，C為所述原子層沉積工藝的反復次數，

關系式Ⅱ：Th/Ts≤0.80

Ts為所述多孔性隔膜的表面的所述無機氧化物層的厚度，單位為nm，Th為在所述多孔性隔膜的表面朝向所述多孔性隔膜中心方向在與所述多孔性隔膜總厚度的1/2相對應的位置的內部氣孔形成的所述無機氧化物層的厚度，單位為nm。

2.根據權利要求1所述的多孔性隔膜，其特征在于，注入所述金屬前驅體的時間為0.1≤ts≤20，單位為s，注入所述氧化劑的時間為0.5≤tr≤30，單位為s。

3.根據權利要求2所述的多孔性隔膜，其特征在于，所述原子層沉積工藝的反復次數為35次至160次。

4.根據權利要求1所述的多孔性隔膜，其特征在于，上述多孔性隔膜的表面的所述無機物氧化層的厚度為5.0≤Ts≤30.0，單位為nm，朝向所述多孔性隔膜中心方向在與所述多孔性隔膜總厚度的1/2相對應的位置的所述內部氣孔形成的所述無機氧化物層的厚度為1.0≤Th≤15，單位為nm。

5.根據權利要求1所述的多孔性隔膜，其特征在于，在上述多孔性基材中，所述氣孔平均直徑為30nm至50nm。

6.根據權利要求1所述的多孔性隔膜，其特征在于，上述多孔性基材的孔隙度為50％至70％。

7.根據權利要求1所述的多孔性隔膜，其特征在于，上述無機氧化物層包含SrTiO₃、SnO₂、CeO₂、MgO、NiO、CaO、ZnS、ZnOS、ZrO₂、Y₂O₃、SiC、CeO₂、MgO、WO₃、Ta₂O₅、RuO₂、NiO、BaTiO₃、Pb(Zr、Ti)O₃(PZT)、HfO₂、SrTiO₃、NiO、ZrO₂、Al₂O₃、SiO₂、TiO₂及ZnO中的一種以上。

8.根據權利要求1所述的多孔性隔膜，其特征在于，上述多孔性基材的厚度為20μm至30μm。