[發(fā)明專利]半導(dǎo)體級硅單晶爐主加熱器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710245370.5 | 申請日： | 2017-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN107059111A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘清躍;吳春生 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京晶能半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/14 | 分類號： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務(wù)所32237 | 代理人： | 楊文晰,孫忠浩 |
| 地址： | 210046 江蘇省南京市經(jīng)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 級硅單晶爐主 加熱器 | ||
1.一種半導(dǎo)體級硅單晶爐的主加熱器，包括主發(fā)熱體、主加熱器腿、輔助支撐柱和連接螺栓，其特征在于：
主發(fā)熱體為筒狀結(jié)構(gòu)，其筒壁設(shè)有由上而下的應(yīng)力緩沖槽和由下而上的應(yīng)力緩沖槽的應(yīng)力緩沖槽，它們均勻分布且相間設(shè)置，各應(yīng)力緩沖槽末端均設(shè)有應(yīng)力圓孔，主發(fā)熱體還對稱設(shè)有電接觸安裝面和一對輔助支撐安裝面，其中，一對電接觸安裝面相距180弧度，一對輔助支撐安裝面相距180弧度，電接觸安裝面與相鄰的輔助支撐安裝面相距90弧度；
兩個主加熱器腿上均設(shè)置有定位臺階、定位銷孔和三個連接螺栓孔，它們通過定位臺階和定位銷孔的定位銷與主發(fā)熱體的電接觸安裝面定位后，通過三個連接螺栓與電接觸安裝面緊固連接；
兩個圓柱形輔助支撐柱上均設(shè)置有定位臺階、定位銷孔和一個連接螺栓孔，它們通過定位臺階和定位銷孔的定位銷與輔助支撐安裝面定位后，通過一個連接螺栓與輔助支撐安裝面緊固連接；
兩個主加熱器腿分別主發(fā)熱體的直流電源的陽極和陰極輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體級硅單晶爐主加熱器，其特征在于：輔助支撐柱的圓柱形內(nèi)設(shè)置有盲孔，支撐柱絕熱子裝配于輔助支撐柱的盲孔中，輔助支撐柱的底端配有絕緣塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體級硅單晶爐主加熱器，其特征在于：所述的支撐柱絕熱子采用固化碳?xì)种谱鳎龅墓袒細(xì)中杞?jīng)高溫純化處理，其純度要求為20 ppm；所述的絕緣塊的材料為氮化硼。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體級硅單晶爐主加熱器，其特征在于：主加熱器腿與主發(fā)熱體的電接觸安裝面之間配有導(dǎo)電墊片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體級硅單晶爐主加熱器，其特征在于：所述的導(dǎo)電墊片為石墨紙，所述的石墨紙需經(jīng)高溫純化處理，其純度為5 ppm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一所述的半導(dǎo)體級硅單晶爐主加熱器，其特征在于：所述的主發(fā)熱體、主加熱器腿、輔助支撐柱、連接螺栓和定位銷均采用高強度等靜壓石墨制作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體級硅單晶爐底部加熱器，其特征在于：所述的石墨需經(jīng)高溫純化處理，其純度要求為5 ppm。
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