[發明專利]一種稻草人形N電極及垂直結構LED芯片

有效

• 申請號: 201710245310.3
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN106972089B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 李國強;張云鵬;張子辰
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳文姬

1.一種垂直結構LED芯片，其特征在于，由下至上依次包括p電極保護層、反射層、電流阻擋層、外延層及稻草人形N電極；

所述電流阻擋層的形狀與稻草人形N電極的形狀構成相似圖形，所述電流阻擋層的尺寸比稻草人形N電極的尺寸大18％～25％；

所述電流阻擋層的制備方法如下：利用PECVD在P-GaN表面先生長一層SiO₂，再用正膠光刻板保護住與稻草人形N電極圖案相對應部分的SiO₂，將其余的SiO₂用BOE腐蝕液腐蝕掉，SiO₂與P-GaN形成肖特基接觸，形成高勢壘區，形成電流阻擋層；

所述稻草人形N電極，包括插指和焊盤；所述焊盤為長方形；所述插指由中心區域插指及邊緣多邊形插指組成；

所述邊緣多邊形插指為正方形插指或八邊形插指；

所述中心區域插指由一根垂直插指和兩根平行插指組成；所述中心區域插指和焊盤相連組成稻草人形插指，所述稻草人形插指位于邊緣多邊形插指內部，所述邊緣多邊形插指與焊盤頂部長邊相連，與垂直插指底部相連；

所述稻草人形插指整體呈左右對稱結構，所述垂直插指位于邊緣多邊形插指的左右對稱軸上，頂端與焊盤相接，并與焊盤長邊垂直，底端與邊緣多邊形插指相接；所述兩根平行插指相互平行，分別位于邊緣多邊形插指的上下對稱軸兩側，所述兩根平行插指到上下對稱軸的距離相等；所述兩根平行插指分別與垂直插指垂直相交，其長邊與焊盤長邊平行；

所述p電極保護層由下至上依次包括種子層、鍵合層、摻雜硅襯底層、防氧化層；

所述插指的寬度范圍為4μm～11μm。

2.根據權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述外延層由下至上依次包括P-GaN、量子阱和N-GaN。