[發明專利]有機薄膜晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201710245003.5
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107068864B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 梁博;王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L27/32
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

采用甲烷氣體和氫氣在不低于1000℃的環境溫度下化學氣相沉積于金屬基板的表面，形成石墨烯層；

覆蓋有機溶液于所述石墨烯層的表面，并加熱所述石墨烯層以在所述石墨烯層表面形成有機半導體納米線，所述有機溶液為9,10-雙苯乙炔基蒽和二甲基甲酰胺的混合溶液，所述有機溶液中，9,10-雙苯乙炔基蒽的濃度為0.004摩爾/升至0.012摩爾/升，所述加熱所述石墨烯層的溫度不高于50℃，加熱時間不少于48小時；

轉移所述有機半導體納米線至目標基板。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，轉移所述有機半導體納米線時，多個所述有機半導體納米線同時以轉印方式形成一個有機半導體納米線組。

3.根據權利要求2所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述轉印方式為卷對卷轉印或卷對面轉印。

4.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述目標基板包括依次形成層疊設置的柵極電極、柵極絕緣層、源極及漏極。

5.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述目標基板包括依次層疊設置的柵極電極及柵極絕緣層；在所述“轉移所述有機半導體納米線至目標基板”步驟之后，所述方法還包括在所述有機半導體納米線背離所述柵極絕緣層一側形成源極和漏極。

6.根據權利要求4或5所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述“轉移所述有機半導體納米線至目標基板”步驟之后，所述方法還包括蝕刻所述有機半導體納米線以形成半導體溝道。