[發明專利]一種基于碳納米管線的植入式神經電極

在審

• 申請號: 201710244916.5
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN106963358A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 隋曉紅;朱豐源;王逸林;朱璟然
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: A61B5/04
• 分類號: A61B5/04;A61N1/05;A61L31/02
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司31220
• 代理人: 鄭立

1.一種基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，包括暴露部分(1)和絕緣部分(2)，所述暴露部分(1)與所述絕緣部分(2)來源于同一根碳納米管線電極，所述暴露部分(1)的碳納米管線電極直接暴露，所述絕緣部分(2)的碳納米管線電極被絕緣層包裹；所述暴露部分(1)用于神經電信號的記錄或者對神經進行電刺激。

2.如權利要求1中所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述神經電極的材料為碳納米管線，所述碳納米管線的直徑為100nm-100μm。

3.如權利要求2中所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述碳納米管線由多條直徑為0.1nm-10nm的單根碳納米管拉制而成。

4.如權利要求1中所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述暴露部分(1)的碳納米管線電極長度范圍是1μm-1mm。

5.如權利要求1中所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述絕緣部分(2)的絕緣層材料為C型聚對二甲苯或者醫用硅膠。

6.如權利要求5中所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述絕緣部分(2)的絕緣層厚度為1μm-5μm。

7.如權利要求1中所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述植入式神經電極的神經植入載具是具有尖端的剛性固體結構，如鎢絲、不銹鋼絲。

8.如權利要求1-7中任一項所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述植入式神經電極的記錄方式為差動式記錄或者非差動式記錄。

9.如權利要求1-7中任一項所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述植入式神經電極是單通道電極或者多通道電極陣列。

10.如權利要求1-7中任一項所述的基于碳納米管線的植入式神經電極，其特征在于，所述植入式神經電極的刺激方式為單極電刺激或者雙極電刺激。