[發明專利]頂發射型發光器件

有效

• 申請號: 201710244493.7
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN106848104B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 何鑫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 姜怡;王衛忠

本公開提供了一種頂發射型發光器件。所述頂發射型發光器件包括：第一電極，位于出光側處；第二電極，與第一電極相對設置；以及有機功能層，位于第一電極和第二電極之間，其中，包覆金屬納米顆粒的金屬氧化物層形成在第二電極和有機功能層之間，其中，金屬氧化物層的厚度大于金屬納米顆粒的粒徑，以使金屬納米顆粒被金屬氧化物層覆蓋。根據本公開的實施例，改善了頂發射型發光器件的發光層的發光效率，減小因電極猝滅造成的效率低下。

技術領域

本公開涉及液晶顯示領域，且更具體地涉及一種頂發射型發光器件。

背景技術

隨著顯示技術的發展，頂發射型發光器件因其良好的器件穩定性和整流比而越來越受到重視。另外，與底發射型發光器件的發光模式相比，頂發射型發光器件的光輻射從頂部射出，從而不受像素開口率的影響。然而，頂發射型發光器件的電極與發光層材料的LUMO能級勢壘較大，激子在電極的猝滅嚴重。

因此，在本領域中需要改善頂發射型發光器件的器件效率。

發明內容

本公開提供了一種頂發射型發光器件，包括：第一電極，位于出光側處；第二電極，與第一電極相對設置；以及有機功能層，位于第一電極和第二電極之間，其中，包覆金屬納米顆粒的金屬氧化物層形成在第二電極和有機功能層之間，其中，金屬氧化物層的厚度大于金屬納米顆粒的粒徑，以使金屬納米顆粒被金屬氧化物層覆蓋。

在本公開的一個實施例中，第一電極可以為陽極，第二電極可以為陰極。

在本公開的一個實施例中，金屬納米顆粒的局域表面等離子體共振電磁場可以與有機功能層的發光材料的熒光團的發射峰發生耦合。

在本公開的一個實施例中，金屬納米顆粒可以選自于金、銀、銅、鋁、鋅、鉻、鉑、上述金屬的合金或者它們的組合。

在本公開的一個實施例中，包覆金屬納米顆粒的金屬氧化物層可以是功函數與第二電極和金屬納米顆粒具有良好的匹配性的金屬氧化物層。

在本公開的一個實施例中，金屬氧化物層可以由氧化鋅形成。

在本公開的一個實施例中，金屬納米顆粒的粒徑范圍可以為5nm至50nm。

在本公開的一個實施例中，有機功能層可以包括順序地形成的電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和空穴注入層。

在本公開的一個實施例中，包覆金屬納米顆粒的金屬氧化物層可以是通過在第二電極上形成單分散的金屬納米顆粒且隨后在其上形成有單分散的金屬納米顆粒的第二電極上沉積金屬氧化物層而形成的。

在本公開的一個實施例中，頂發射型發光器件還可以包括：帶電聚合物電解質層，形成在第二電極上，且所帶電荷的電性與金屬納米顆粒的表面所帶電荷的電性相反，以用于金屬納米顆粒的靜電吸附。

根據本公開的實施例，能夠改善頂發射型發光器件的發光層的發光效率，并能夠減小因電極猝滅造成的低效率。

附圖說明

包括附圖以提供對本公開的進一步理解，附圖并入本申請并組成本申請的一部分，附圖示出了本公開的實施例，并與描述一起用于解釋本公開的原理。在附圖中：

圖1是示出根據本公開的一個實施例的頂發射型發光器件的結構示意圖；

圖2是示出根據本公開的另一實施例的頂發射型發光器件的結構示意圖。

具體實施方式