[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710244191.X
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107445134B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 林宏樺;劉丙寅;劉冠良;蔡嘉雄;亞歷山大·卡利尼克斯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本揭露涉及半導體結構及其制造方法。其中，該半導體結構包含：第一襯底，其包含延伸到所述第一襯底中的腔、放置于所述腔內的裝置、放置于所述第一襯底上方的第一電介質層及由所述第一電介質層環繞的第一導電結構；以及第二襯底，其包含放置于所述第二襯底上方的第二電介質層及由所述第二電介質層環繞的第二導電結構，其中所述第一導電結構與所述第二導電結構接合且所述第一電介質層與所述第二電介質層接合以密封所述腔。

技術領域

本揭露涉及半導體結構及其制造方法

背景技術

涉及半導電裝置的電子設備對于許多現代應用來說是必不可少的。半導電裝置已經歷迅速發展。材料及設計中的技術進步已產生若干代半導電裝置，其中每一代半導電裝置具有比前一代半導電裝置更小且更復雜的電路。在進步及創新的進程中，功能密度(即，每芯片區互連裝置的數目)已大體增加，同時幾何大小(即，可使用制作工藝創建的最小組件)已減小。此類進步已增加處理及制造半導電裝置的復雜性。

近來已開發微機電系統(MEMS)裝置，且在電子設備中也通常涉及MEMS裝置。MEMS裝置是微型大小的裝置，其大小通常在從小于1微米到數毫米的范圍內。MEMS裝置包含使用半導電材料制作來形成機械及電構件。MEMS裝置可包含用于實現機電功能性的若干個元件(例如，固定或可移動元件)。對于許多應用來說，MEMS裝置電連接到外部電路以形成完整MEMS系統。通常，所述連接是通過線接合形成。MEMS裝置廣泛用于各種應用中。MEMS應用包含運動傳感器、氣體檢測器、壓力傳感器、打印機噴嘴等等。此外，MEMS應用延伸到光學應用(例如可移動鏡)及射頻(RF)應用(例如RF開關)等等。

隨著技術演進，裝置的設計鑒于整體的小尺寸以及電路的功能性及量的增加而變得更復雜。許多制造操作是在此小的且高性能半導體裝置內實施。以小型化尺度制造半導體裝置變得更復雜。制造的復雜性的增加可導致缺陷(例如高合格率損失、電互連的不良可靠性、翹曲等)。因此，一直需要修改電子設備中的裝置的結構及制造方法以便改進裝置性能以及減少制造成本及處理時間。

發明內容

根據本揭露一實施例，一種半導體結構包括：第一襯底以及第二襯底。其中，第一襯底包含延伸到第一襯底中的腔、放置于所述腔內的裝置、放置于第一襯底上方的第一電介質層及由第一電介質層環繞的第一導電結構；第二襯底含放置于第二襯底上方的第二電介質層及由第二電介質層環繞的第二導電結構。其中，第一導電結構與第二導電結構接合且第一電介質層與第二電介質層接合以密封腔。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，依據以下詳細描述最佳地理解本揭露的各方面。應強調，根據本行業中的標準實踐，各種構件未按比例繪制。事實上，為論述的清晰起見，可任意地增大或減小各種構件的尺寸。

圖1是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的示意圖。

圖1A是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的示意性俯視圖。

圖2是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的示意圖。

圖3是根據本揭露的一些實施例的制造半導體結構的方法的流程圖。

圖3A到3D是根據本揭露的一些實施例的通過圖3的方法制造半導體結構的示意圖。

圖4是根據本揭露的一些實施例的制造半導體結構的方法的流程圖。

圖4A到4I是根據本揭露的一些實施例的通過圖4的方法制造半導體結構的示意圖。

具體實施方式