[發明專利]啟動控制電路及包括其的半導體裝置

在審

• 申請號: 201710244029.8
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107871528A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 金容善;辛泰均
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 任靜,許偉群

相關申請的交叉引用

本申請要求2016年9月26日在韓國知識產權局提交的申請號為10-2016-0123126的韓國申請的優先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

各種實施例一般而言可以涉及一種半導體電路，更具體地，涉及一種啟動控制電路及包括其的半導體裝置。

背景技術

在半導體裝置中出現缺陷的存儲單元(在下文中，稱為缺陷單元)可以通過測試來檢測。

在半導體裝置的操作中，當從外部提供的地址是用于訪問缺陷單元的地址時，可以訪問被分配給缺陷單元的冗余存儲單元(在下文中，被稱為冗余單元)而非缺陷單元，并且該操作可以被稱為修復操作。

用于訪問缺陷單元的地址信息可以指缺陷地址信息。

近年來，可以使用即使在包裝之后也能夠通過斷裂來重新編碼信息的電熔絲。

半導體裝置可以包括熔絲陣列，其中缺陷地址信息通過與存儲單元訪問方法類似的方法來訪問多個電熔絲而被編程(例如，通過斷裂操作來儲存)，以及然后讀取預先儲存的缺陷地址信息以在下面的啟動操作中使用。

發明內容

在本公開的實施例中，可以提供一種啟動控制電路。啟動控制電路可以包括熔絲陣列，該熔絲陣列包括至少一個正常熔絲和至少一個虛設熔絲。啟動控制電路可以包括：熔絲陣列控制器，其被配置為根據通過測試啟動操作從至少一個虛設熔絲輸出的測試熔絲數據與預期數據之間的比較結果來判斷是否開始針對至少一個正常熔絲的正常啟動操作。

在本公開的實施例中，可以提供一種半導體裝置。半導體裝置可以包括熔絲陣列，該熔絲陣列包括多個正常熔絲和多個虛設熔絲。半導體裝置可以包括啟動控制電路，其被配置為：根據通過測試啟動操作從多個虛設熔絲輸出的熔絲數據與預期數據之間的比較結果來產生表示是否開始正常啟動操作的啟動使能信號以及產生熔絲時鐘信號。半導體裝置可以包括存儲單元陣列，其被配置為基于被激活的啟動使能信號來執行根據熔絲時鐘信號儲存從多個正常熔絲輸出的熔絲數據的正常啟動操作。

附圖說明

圖1是圖示根據本公開的實施例的半導體裝置的配置的代表的示例的示圖。

圖2是圖示圖1的熔絲陣列控制器的內部配置的代表的示例的示圖。

圖3是圖示圖2的啟動確定電路的內部配置的代表的示例的示圖。

圖4是圖示圖3的預期數據發生單元的內部配置的代表的示例的示圖。

圖5是圖示圖3的啟動準備就緒信號發生單元的內部配置的代表的示例的示圖。

圖6是圖示圖3的比較單元的內部配置的代表的示例的示圖。

圖7是圖示圖3的外部控制信號發生單元的內部配置的代表的示例的示圖。

圖8是圖示圖3的計數復位脈沖發生單元的內部配置的代表的示例的示圖。

圖9和圖10是用于說明根據本公開的實施例的啟動控制操作的時序圖的示例。

圖11圖示采用根據上面關于圖1到圖10討論的各種實施例的半導體裝置和/或啟動控制電路的系統的代表的示例的框圖。

具體實施方式

將參照附圖描述各種實施例。附圖是各種實施例(和中間結構)的示意圖。因此，可以預期來自因例如制造技術和/或公差而帶來的圖示的配置和形狀的變化。因此，所描述的實施例不應被解釋為局限于本文所示的特定配置和形狀，而是可以包括不脫離如所附權利要求中限定的本公開的精神和范圍的配置和形狀的偏差。

本文中參考本公開的理想化實施例的截面圖和/或平面圖來描述本公開。然而，本公開的實施例不應被解釋為限制。盡管將圖示和描述一些實施例，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離本公開的原理和精神的情況下，可以在這些實施例中進行改變。

可以提供各種實施例，其涉及能夠提高啟動操作的可靠性的啟動控制電路及包括其的半導體裝置。

參考圖1，根據實施例的半導體裝置100可以包括存儲單元陣列101、熔絲陣列103、功率檢測電路106以及熔絲陣列控制器107。半導體裝置100可以包括啟動控制電路110。在實施例中，啟動控制電路110可以包括熔絲陣列103和熔絲陣列控制器107。

存儲單元陣列101可以包括多個存儲單元(未示出)和熔絲數據儲存電路102。

當啟動使能信號BOOTUPEN_EXT被激活時，熔絲數據儲存電路102可以根據熔絲時鐘信號FZCLK_EXT來儲存熔絲數據FZDATA<0:7>。