[發(fā)明專利]存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710243950.0 | 申請日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN108666324B | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賴二琨;龍翔瀾 | 申請(專利權(quán))人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11578 | 分類號: | H01L27/11578 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲器 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
一襯底;
多個疊層,設(shè)置在該襯底上,這些疊層通過多個第一溝道彼此分離,這些疊層包括交替配置的多個第一疊層和多個第二疊層,其中這些疊層的每一者包括交替疊層的多個導(dǎo)電條和多個絕緣條;
多個存儲層,部分地設(shè)置在這些第一溝道中,并以共形的方式延伸到這些疊層上;
多個通道層,以共形的方式設(shè)置在這些存儲層上;以及
多個接墊層,至少在實質(zhì)上位于這些第一疊層上方的多個位置,該多個位置設(shè)置在這些通道層上;
其中,位于一疊層的二側(cè)的通道層在疊層的延伸方向上偏離一段距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,這些接墊層的一厚度大于這些通道層的一厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,更包括:
多個第一連接件,實質(zhì)上設(shè)置在這些第一疊層上方,這些第一連接件接觸這些接墊層;
多個第二連接件,實質(zhì)上設(shè)置在這些第二疊層上方;
多個第一上方導(dǎo)線,其中這些第一連接件通過這些接墊層將這些通道層耦接到這些第一上方導(dǎo)線;以及
多個第二上方導(dǎo)線,其中這些第二連接件將這些通道層耦接到這些第二上方導(dǎo)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,這些疊層的這些導(dǎo)電條包括字線,這些第一上方導(dǎo)線為位線,這些第二上方導(dǎo)線為共同源極線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,這些接墊層更包括在實質(zhì)上位于這些第二疊層上方的多個位置的多個接墊層,其中,該多個位置設(shè)置在這些通道層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,這些通道層在和這些疊層的一延伸方向垂直的一方向上通過位于這些疊層上方的多個第二溝道彼此分離,且其中這些通道層在這些疊層的該延伸方向上通過多個隔離結(jié)構(gòu)彼此分離,這些隔離結(jié)構(gòu)的每一者包括一第一部分和位于該第一部分上的一第二部分,且該第二部分的一剖面面積大于該第一部分的一剖面面積。
7.一種存儲器結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括:
提供一初步結(jié)構(gòu),該初步結(jié)構(gòu)包括一襯底、多個疊層、一初始存儲層、和一初始通道層,其中這些疊層形成在該襯底上并通過多個第一溝道彼此分離,這些疊層的每一者包括交替疊層的多個導(dǎo)電條和多個絕緣條,該初始存儲層共形地形成在這些疊層和這些第一溝道上,該初始通道層共形地形成在該初始存儲層上;
在該初步結(jié)構(gòu)上形成一犧牲材料,該犧牲材料包括位于這些疊層上方的多個部分;
在該犧牲材料上形成一覆蓋層;
在這些疊層上方形成多個第二溝道,這些第二溝道穿過該覆蓋層和該犧牲材料;以及
通過以一接墊材料取代該犧牲材料位于這些疊層上方的這些部分,在這些疊層上形成多個接墊層;
其中,位于一疊層的二側(cè)的通道層在疊層的延伸方向上偏離一段距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于,形成這些接墊層的步驟包括:
移除該犧牲材料位于這些疊層上方的這些部分;
將該接墊材料填充到這些第二溝道、和由該犧牲材料位于這些疊層上方的這些部分的移除所形成的空間中;以及
在這些第二溝道中形成多個切割線,這些切割線分離這些疊層上的該接墊材料和該初始通道層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于,更包括:
在這些第一溝道中形成多個第一孔洞,其中該初始通道層在這些第一溝道中的多個部分由這些第一孔洞的形成所移除;
將一第一隔離材料填充到這些第一孔洞中;
在這些第一孔洞的較上部分的多個位置形成多個第二孔洞,其中這些第二孔洞的一剖面面積大于這些第一孔洞的一剖面面積,且其中該初始通道層在這些疊層上的多個部分由這些第二孔洞的形成所移除;以及
將一第二隔離材料填充到這些第二孔洞中。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于,這些疊層包括交替配置的多個第一疊層和多個第二疊層,且該制造方法更包括:
在實質(zhì)上位于這些第一疊層上方的多個位置形成多個第一連接件,這些第一連接件接觸這些接墊層,這些第一連接件被配置成用于將使用該初始通道層所形成的多個通道層通過這些接墊層耦接到多個第一上方導(dǎo)線;以及
在實質(zhì)上位于這些第二疊層上方的多個位置形成多個第二連接件,這些第二連接件被配置成用于將這些通道層耦接到多個第二上方導(dǎo)線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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