[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710243903.6
• 申請(qǐng)日: 2012-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN107275282A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山·D·唐;斯科特·E·西里斯;惠特尼·L·韋斯特;羅布·B·古德溫;尼尚特·辛哈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包括：

在上覆于電極上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成電介質(zhì)材料；

在所述電介質(zhì)材料中界定至少一個(gè)開口，所述至少一個(gè)開口由所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁界定；

形成與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相接觸的硫族化物材料或氧化物材料的至少一者；

在所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者上方并在所述電介質(zhì)材料中的所述至少一個(gè)開口中形成包含銀的導(dǎo)電材料；

在所述包含銀的導(dǎo)電材料上方形成另一導(dǎo)電材料，所述至少一個(gè)開口的一部分保持未填充；以及

執(zhí)行拋光工藝以將所述包含銀的導(dǎo)電材料或所述另一導(dǎo)電材料的至少一者實(shí)質(zhì)上再分配到所述至少一個(gè)開口的未填充部分中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電介質(zhì)材料中界定至少一個(gè)開口包括形成具有介于約1:1與約20:1之間的縱橫比的所述至少一個(gè)開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相接觸的硫族化物材料或氧化物材料的至少一者包括在所述電介質(zhì)材料的所述側(cè)壁上方并在所述電介質(zhì)材料中的所述至少一個(gè)開口中形成所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者上方形成所述包含銀的導(dǎo)電材料包括在所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者上方形成銀或銀合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述包含銀的導(dǎo)電材料上方形成另一導(dǎo)電材料包括在所述包含銀的導(dǎo)電材料上方形成鉑、鉭、鋁、鉛、銅、銥、鈦、鎳、鈷、釕或銠的至少一者。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行拋光工藝以將所述包含銀的導(dǎo)電材料或所述另一導(dǎo)電材料的至少一者實(shí)質(zhì)上再分配到所述至少一個(gè)開口的未填充部分中包括形成上覆于所述硫族化物材料或所述氧化物材料的至少一者上的另一電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行拋光工藝以將所述包含銀的導(dǎo)電材料或所述另一導(dǎo)電材料的至少一者實(shí)質(zhì)上再分配到所述至少一個(gè)開口的未填充部分中包括用所述包含銀的導(dǎo)電材料或所述另一導(dǎo)電材料的至少一者實(shí)質(zhì)上填充所述至少一個(gè)開口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行拋光工藝以將所述包含銀的導(dǎo)電材料或所述另一導(dǎo)電材料的至少一者實(shí)質(zhì)上再分配到所述至少一個(gè)開口的未填充部分中包括從鄰近所述至少一個(gè)開口的所述電介質(zhì)材料的表面移除所述包含銀的導(dǎo)電材料或所述另一導(dǎo)電材料的至少一者。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述導(dǎo)電材料和所述另一導(dǎo)電材料退火以在所述至少一個(gè)開口中形成經(jīng)退火材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述導(dǎo)電材料和所述另一導(dǎo)電材料退火以在所述至少一個(gè)開口中形成經(jīng)退火材料包括在所述至少一個(gè)開口中形成包含銀和鉭的所述經(jīng)退火材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：在執(zhí)行所述拋光工藝之前，將所述導(dǎo)電材料和所述另一導(dǎo)電材料退火以在所述至少一個(gè)開口中形成經(jīng)退火材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：在執(zhí)行所述拋光工藝之前，使所述導(dǎo)電材料和所述另一導(dǎo)電材料反應(yīng)以形成金屬間化合物。

13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括：

上覆于電極上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

上覆于所述電極上的電介質(zhì)材料；

與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相接觸的硫族化物材料或氧化物材料的至少一者；

上覆于所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者并與其相接觸的導(dǎo)電元件，所述導(dǎo)電元件的上表面與所述電介質(zhì)材料的上表面共面，所述導(dǎo)電元件包含銀、銀混合物或銀合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電元件包括至少一區(qū)域和至少另一區(qū)域，所述至少一區(qū)域包含與所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者相接觸的銀，所述至少另一區(qū)域包含在包含銀的所述至少一區(qū)域上方的另一材料，所述另一材料的大部分或?qū)嵸|(zhì)上全部所述另一材料通過所述包含銀的所述至少一區(qū)域而與所述硫族化物材料或氧化物材料的至少一者間隔開，所述另一材料包含鉑、鉭、鋁、鉛、銅、銥、鈦、鎳、鈷、釕或銠的至少一者。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電元件包含銀和鉭。