[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201710243320.3
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN108735740A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 金星中
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

層疊柵結構，包括層疊在基板上并在第一方向延伸的上選擇柵圖案、虛設柵圖案和單元柵圖案；

有源圖案，在穿過所述層疊柵結構的同時彼此間隔開；以及

柵電介質圖案，插置在所述單元柵圖案與所述有源圖案之間、在所述上選擇柵圖案與所述有源圖案之間以及在所述虛設柵圖案與所述有源圖案之間，

其中所述上選擇柵圖案設置在所述單元柵圖案當中的最上面的單元柵圖案上并在交叉所述第一方向的第二方向上彼此間隔開，所述虛設柵圖案設置在所述最上面的單元柵圖案與所述上選擇柵圖案之間并在所述第二方向上彼此間隔開。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述上選擇柵圖案之間的間隔與所述虛設柵圖案之間的間隔相同。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述上選擇柵圖案之間的間隔大于所述虛設柵圖案之間的間隔。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其中所述上選擇柵圖案之間的間隔朝向所述基板減小，并且所述虛設柵圖案之間的間隔朝向所述基板減小。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述上選擇柵圖案包括第一上選擇柵圖案和設置在所述第一上選擇柵圖案上的第二上選擇柵圖案，并且所述虛設柵圖案包括第一虛設柵圖案和設置在所述第一虛設柵圖案上的第二虛設柵圖案。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述層疊柵結構還包括在最下面的單元柵圖案與所述基板之間在所述第一方向上延伸的下選擇柵圖案，并且

所述下選擇柵圖案設置為在所述第二方向上彼此間隔開。

7.如權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述基板上的在所述第二方向上與所述層疊柵結構間隔開的另一層疊柵結構，

其中所述上選擇柵圖案之間的間隔小于所述層疊柵結構與所述另一層疊柵結構之間的間隔。

8.如權利要求7所述的半導體器件，還包括在所述層疊柵結構與所述另一層疊柵結構之間的所述基板中的公共源極區。

9.如權利要求8所述的半導體器件，還包括設置在所述層疊柵結構與所述另一層疊柵結構之間的所述公共源極區上的公共源極線。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵電介質圖案延伸到所述單元柵圖案的上表面和下表面上。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵電介質圖案沿著所述有源圖案的外周邊表面延伸。

12.如權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在每個所述有源圖案與所述基板之間的半導體圖案。

13.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵電介質圖案包括氧化物膜-氮化物膜-氧化物膜。

14.一種半導體器件，包括：

層疊柵結構，包括層疊在基板上并在第一方向延伸的上選擇柵圖案、虛設柵圖案和單元柵圖案；和

垂直結構，在穿過所述層疊柵結構的同時彼此間隔開，

其中所述上選擇柵圖案設置在所述單元柵圖案當中的最上面的單元柵圖案上并在交叉所述第一方向的第二方向上彼此間隔開，所述虛設柵圖案設置在所述最上面的單元柵圖案與所述上選擇柵圖案之間并在所述第二方向上彼此間隔開。

15.如權利要求14所述的半導體器件，其中所述上選擇柵圖案之間的間隔等于所述虛設柵圖案之間的間隔。

16.如權利要求14所述的半導體器件，其中所述上選擇柵圖案之間的間隔大于所述虛設柵圖案之間的間隔。