[發(fā)明專利]一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710243180.X | 申請日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN108736845A | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬建國;成千福;劉暢;朱守奎;傅海鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學(青島)海洋工程研究院有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/217 | 分類號: | H03F3/217 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266200 山東省青島市即*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 并聯(lián)型 匹配電路 高效率 逆F類功率放大器 高次諧波 控制電路 功放管 串聯(lián) 電路 功率放大結(jié)構(gòu) 功率輸出能力 晶體管集電極 功率放大器 晶體管基極 晶體管輸出 邊界條件 導通狀態(tài) 電路組成 負載阻抗 關(guān)斷狀態(tài) 擊穿電壓 偏置電路 有效實現(xiàn) 電源Vcc 共射極 集電極 輸出端 輸入端 晶體管 并聯(lián) 功放 電源 引入 | ||
1.一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路,其特征在于:晶體管輸出端包括:并聯(lián)型E類功率放大器電路、逆F類高次諧波控制電路及晶體管偏置電路;所述并聯(lián)型E逆F類電路位于晶體管輸出端和負載阻抗之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路,其特征在于:所述的并聯(lián)型E類功率放大器由并聯(lián)的L、C和串聯(lián)的L0、C0組成;所述的逆F類高次諧波控制電路由串聯(lián)的Ln、Cn組成;所述的偏置電路由電源Vbb到晶體管基極的電路和電源Vcc到晶體管集電極的電路組成;所述功率放大結(jié)構(gòu)為共射極的功放管,所述功放管的輸入端為基極,輸出端為集電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高效率并聯(lián)型E逆F類功率放大器匹配電路,其特征在于:負載網(wǎng)絡(luò)由并聯(lián)電感L、并聯(lián)電容C、對于n次諧波諧振的串聯(lián)Ln和Cn電路、基波的串聯(lián)L0和C0諧振電路、負載R構(gòu)成;晶體管被看做一個在關(guān)斷到導通狀態(tài)下切換的理想開關(guān);當開關(guān)處于開路狀態(tài)時,晶體管集電極電壓波形由負載網(wǎng)絡(luò)的短暫響應所決定。
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