[發明專利]具有護環的絕緣體上半導體（SOI）塊

有效

• 申請號: 201710243165.5
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN107316871B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 阮紀明;大衛·拉塞爾·蒂普爾
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

第一導電類型的塊狀襯底；

所述塊狀襯底中的第一絕緣體上半導體SOI塊；

所述第一SOI塊中的所述第一導電類型的第一阱；

所述第一SOI塊中的第二導電類型的第二阱；

圍繞所述第一SOI塊的周邊的至少一部分的所述第一SOI塊中的所述第一導電類型的第一護環；

圍繞所述第一SOI塊的所述周邊的至少一部分的所述第一SOI塊中的所述第二導電類型的第二護環，其中所述第一導電類型不同于所述第二導電類型；

在所述塊狀襯底上方但不在所述第一護環和所述第二護環上方的底部氧化物層；

形成于所述底部氧化物的部分和所述第一阱上方的第一電子裝置；

形成于所述底部氧化物的另一部分和所述第二阱上方的第二電子裝置；

耦合于第二護環與第一電子裝置的第一電流電極之間的第一導電跡線；和

耦合于第一護環與第二電子裝置的第一電流電極之間的第二導電跡線。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，另外包括所述第一SOI塊中的所述第一阱和所述第二阱下方的所述第二導電類型的深阱。

3.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一護環和所述第二護環為連續的且圍繞所述第一SOI塊的全部所述周邊延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，另外包括

塊狀硅中的第二SOI塊；

所述第一護環和所述第二護環的部分在所述第一SOI塊與所述第二SOI塊之間。

5.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

NMOS晶體管，所述NMOS晶體管形成于氧化物層的第一部分上，其中所述氧化物層形成于塊狀襯底的絕緣體上半導體SOI塊上；

PMOS晶體管，所述PMOS晶體管形成于所述氧化物層的第二部分上；

第一摻雜環，所述第一摻雜環形成于所述塊狀襯底中且與所述SOI塊間隔一段距離；

第二摻雜環，所述第二摻雜環形成于所述塊狀襯底中且與所述SOI塊和所述第一摻雜環間隔一段距離；

第一導電跡線，所述第一導電跡線連接于所述第一摻雜環與所述NMOS晶體管的電流電極之間；

第二導電跡線，所述第二導電跡線連接于所述第二摻雜環與所述PMOS晶體管的電流電極之間。