[發明專利]一種具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管在審
| 申請號： | 201710242816.9 | 申請日： | 2017-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN107017293A | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 賈護軍;羅燁輝;吳秋媛;楊銀堂;柴常春 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙)11368 | 代理人： | 劉玲玲 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 凹陷 algan 勢壘層 gan 異質結 場效應 晶體管 | ||
1.一種具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，結構自下而上包括：半絕緣襯底(1)、AlN成核層(2)、GaN緩沖層(3)和AlGaN勢壘層(4)，其特征在于，所述AlGaN勢壘層(4)的上表面的兩側分別設有源電極(5)和漏電極(6)、源電極(5)和漏電極(6)之間且靠近源電極(5)處設有柵電極(7)，在柵電極(7)的源側區域一部分AlGaN勢壘層(4)向下凹陷形成凹陷柵源勢壘層區域(8)，在柵電極(7)的漏側區域一部分AlGaN勢壘層(4)向下凹陷形成凹陷柵漏勢壘層區域(9)。
2.根據權利要求1所述的具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述凹陷柵源勢壘層區域(8)和凹陷柵漏勢壘層區域(9)均是通過在AlGaN勢壘層(4)的表面進行光刻、刻蝕形成的。
3.根據權利要求2所述的具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述凹陷柵源勢壘層區域(8)的長度為0.5μm、刻蝕深度為5nm，所述凹陷柵漏勢壘層區域(9)的長度為0.6μm、刻蝕深度為4nm。
4.根據權利要求3所述的具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極(7)的長度為1.0μm，柵源間距為1μm，柵漏間距為2.5μm。
5.根據權利要求1所述的具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極(7)通過肖特基接觸與AlGaN勢壘層(4)相連，所述源電極(5)和漏電極(6)均通過歐姆接觸與AlGaN勢壘層(4)相連。
6.根據權利要求1所述的具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述GaN緩沖層(3)具有n型電阻特性或半絕緣特性。
7.根據權利要求1所述的具有雙凹陷AlGaN勢壘層的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述半絕緣襯底(1)為硅襯底、碳化硅襯底或藍寶石襯底。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學，未經西安電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710242816.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
