[發明專利]晶體振子

在審

• 申請號: 201710242539.1
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN107294507A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 小原茂;佐藤徹彌;中原正陽;芝崎友則;大井友貴;西村裕也
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 楊文娟,臧建明

技術領域

本發明涉及一種使用了2次旋轉切割的晶體片的晶體振子。

背景技術

已知有使用了2次旋轉切割的晶體片的2次旋轉晶體振子，所述2次旋轉切割的晶體片是將晶體與X′軸及Z′軸平行地切斷而形成，所述X′軸是使作為晶體的結晶軸的X軸以作為結晶軸的Z軸為中心而旋轉φ度所得，所述Z′軸是使Z軸以X′軸為中心而旋轉θ度所得。專利文獻1中，例如示出φ約為22度、θ約為34度的SC切割的晶體振子。此種2次旋轉晶體振子比起AT切割晶體振子而熱沖擊特性良好，且在80℃左右的相對高的溫度下顯示出零溫度系數，因而例如收納在加熱到80℃左右的一定溫度的恒溫槽內而作為穩定度高的晶體振蕩器使用。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平5-243890號公報

發明內容

[發明所要解決的問題]

然而，如專利文獻1所示的2次旋轉晶體振子中，存在如下問題，即，輪廓系、彎曲系副振動與主振動耦合，而容易產生由溫度變化引起的急峻的頻率變化及晶體阻抗(crystal impedance，簡稱：CI)的變化。而且，2次旋轉晶體振子與AT切割的晶體振子彼此的振動模式不同，因而，難以直接將AT切割的晶體振子的技術用于2次旋轉晶體振子來抑制副振動。

因此，本發明的目的在于，提供抑制副振動與主振動的耦合且將CI值抑制得低的晶體振子。

[解決問題的技術手段]

第一觀點的晶體振子包括：晶體片，具有與X′軸及Z′軸平行的一對主面，所述X′軸是使作為晶體的結晶軸的X軸以作為晶體的結晶軸的Z軸為中心而在15度至25度的范圍內旋轉所得，所述Z′軸是使Z軸以X′軸為中心而在33度至35度的范圍內旋轉所得；以及激振電極，形成于晶體片的各主面。在各主面，形成著比主面的外周突出且形成為橢圓形狀(向晶體片的厚度方向突出且平面形狀形成為橢圓形狀)的臺面部或比主面的外周凹陷且形成為橢圓形狀(向晶體片的厚度方向凹陷且平面形狀形成為橢圓形狀)的逆臺面部。

第二觀點的晶體振子如第一觀點，橢圓形狀的長軸沿相對于X′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸。

第三觀點的晶體振子如第一觀點，橢圓形狀的長軸沿相對于Z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第四觀點的晶體振子如第一觀點至第三觀點，所述晶體片形成為1條對角線處于相對于Z′軸為±10°的范圍的正方形或長方形，或者1條邊處于相對于所述Z′軸為±10°的范圍的正方形或長方形(其中，正方形、長方形也包括晶體片的角部為R狀等的大致正方形、大致長方形)。另外，此處敘述為±10°的理由是，如果處于該范圍，則能夠選擇如下晶體片，即，將本發明提及的激振電極配置于特定的位置之后，進而能夠減小支撐晶體片時的影響且容易進行晶體片的加工。

第五觀點的晶體振子如第一觀點至第四觀點，長軸與橢圓形狀的短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍。

第六觀點的晶體振子包括：晶體片，具有與X′軸及Z′軸平行的一對主面，所述X′軸是使作為晶體的結晶軸的X軸以作為晶體的結晶軸的Z軸為中心而在15度至25度的范圍內旋轉所得，所述Z′軸是使Z軸以X′軸為中心而在33度至35度的范圍內旋轉所得；以及激振電極，形成于晶體片的各主面。在各主面，形成著比主面的外周突出的規定形狀的臺面部或比主面的外周凹陷的規定形狀的逆臺面部，規定形狀為第一橢圓形狀與第二橢圓形狀合成所得的形狀，所述第一橢圓形狀的長軸沿相對于X′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸，所述第二橢圓形狀的長軸沿相對于Z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第七觀點的晶體振子如第六觀點，第一橢圓形狀的長軸與短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍，第二橢圓形狀的長軸與短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍。

第八觀點的晶體振子如第一觀點至第七觀點，各激振電極形成為橢圓形狀，激振電極的長軸沿相對于X′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向或相對于Z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第九觀點的晶體振子如第一觀點至第七觀點，各激振電極形成為第一橢圓形狀與第二橢圓形狀合成所得的形狀，所述第一橢圓形狀的長軸沿相對于X′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸，所述第二橢圓形狀的長軸沿相對于Z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。