[發(fā)明專利]射頻開關(guān)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710241941.8
• 申請(qǐng)日: 2017-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN107026162B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉張李
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06
• 代理公司: 31237 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 屈蘅<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入國(guó)

1.一種射頻開關(guān)器件，其特征在于，包括依次堆疊配置或串聯(lián)連接的多個(gè)串聯(lián)晶體管，相鄰兩個(gè)串聯(lián)晶體管的連接點(diǎn)為串聯(lián)節(jié)點(diǎn)，至少一個(gè)串聯(lián)節(jié)點(diǎn)和地之間設(shè)有寄生電容；所述射頻開關(guān)器件還包括絕緣體上半導(dǎo)體襯底以及位于所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底上方的第一金屬層，所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括依次堆疊的半導(dǎo)體基底、位于所述半導(dǎo)體基底上的絕緣埋層以及位于所述絕緣埋層上的頂層半導(dǎo)體層，所述頂層半導(dǎo)體層設(shè)有多個(gè)相互隔離的串聯(lián)晶體管有源區(qū)，每個(gè)串聯(lián)晶體管有源區(qū)形成有一個(gè)所述串聯(lián)晶體管，所有串聯(lián)晶體管通過所述第一金屬層串聯(lián)；每個(gè)所述寄生電容的一個(gè)電極板為所述寄生電容所在處的串聯(lián)晶體管有源區(qū)；每個(gè)所述寄生電容的另一個(gè)電極板為部分所述第一金屬層，或者為位于所述第一金屬層上方的第二金屬層，或者為位于所述頂層半導(dǎo)體層中的相應(yīng)的額外有源區(qū)，所述第二金屬層位于相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)的外側(cè)并與所述相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)隔離且接地，所述額外有源區(qū)位于相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)的外側(cè)并與所述相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)隔離；當(dāng)有多個(gè)串聯(lián)節(jié)點(diǎn)和地之間設(shè)有寄生電容時(shí)，所有寄生電容的所述另一個(gè)電極板在所有串聯(lián)晶體管有源區(qū)一側(cè)連接為一個(gè)整體且呈梳狀結(jié)構(gòu)，所述梳狀結(jié)構(gòu)的梳齒自由端靠近相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)且與所述相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)隔離，所述梳狀結(jié)構(gòu)的梳背接地。

2.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，當(dāng)每個(gè)所述寄生電容的另一個(gè)電極板為部分所述第一金屬層時(shí)，所述第一金屬層包括實(shí)現(xiàn)所有串聯(lián)晶體管串聯(lián)的互連線部分以及用作所述寄生電容的電極板部分，所述電極板部分位于相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)的外側(cè)，并與所述相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)隔離且接地，所述相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)作為所述寄生電容的所述一個(gè)電極板。

3.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述梳狀結(jié)構(gòu)的梳齒自由端為倒T型。

4.如權(quán)利要求2所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，當(dāng)每個(gè)所述寄生電容的另一個(gè)電極板為相應(yīng)的所述額外有源區(qū)時(shí)，所述第一金屬層包括實(shí)現(xiàn)所有串聯(lián)晶體管串聯(lián)的互連線部分以及用于將所述額外有源區(qū)接地的接地部分，所述相應(yīng)的串聯(lián)晶體管有源區(qū)作為相應(yīng)的所述寄生電容的所述一個(gè)電極板。

5.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述梳狀結(jié)構(gòu)的梳齒的長(zhǎng)度和寬度均相同。

6.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，每個(gè)串聯(lián)節(jié)點(diǎn)和地之間均設(shè)有一個(gè)寄生電容。

7.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所有的串聯(lián)晶體管為NMOS晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述射頻開關(guān)器件還包括至少一個(gè)柵極偏壓電阻，所述柵極偏壓電阻一端連接到所述的射頻開關(guān)器件的電壓控制節(jié)點(diǎn)上，另一端連接到相應(yīng)的串聯(lián)晶體管的柵極。

9.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述射頻開關(guān)器件還包括至少一個(gè)體偏壓電阻，所述體偏壓電阻的一端接地，另一端連接到相應(yīng)的串聯(lián)晶體管的體節(jié)點(diǎn)。

10.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述射頻開關(guān)器件還包括至少一個(gè)源漏偏壓電阻，所述源漏偏壓電阻連接在相應(yīng)的串聯(lián)晶體的源極與漏極之間。