[發明專利]快閃存儲器的缺陷檢測方法、耐久測試方法和制造方法

有效

• 申請號: 201710241890.9
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107039089B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 徐濤;曹子貴;謝中華;錢亮;陳宏;王卉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/50
• 代理公司: 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 屈蘅

1.一種快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

選擇快閃存儲器的奇數扇區或選擇所述快閃存儲器的偶數扇區，并采用一定的編程電流和一定的編程時間來進行擦除；

所述擦除的應力使所述快閃存儲器中相應的淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留與相鄰的至少一條字線短接，以檢測出具有多晶硅殘留的存儲單元；

或者，所述擦除的應力使所述快閃存儲器中位于相鄰扇區之間的淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留由于被擦除而帶正電荷，并在所述多晶硅殘留帶正電荷后施加比所述一定的編程電流更大的編程電流以及比所述一定的編程時間更長的編程時間來進行編程串擾測試，根據所述編程串擾測試結果，檢測出具有多晶硅殘留的存儲單元。

2.如權利要求1所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述擦除的應力使所述快閃存儲器中相應的淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留與兩側相鄰的兩條字線均短接。

3.如權利要求1或2所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，在選擇快閃存儲器的奇數扇區或選擇所述快閃存儲器的偶數扇區進行擦除前，所述快閃存儲器中的淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留包括以下五種類型中的至少一種：

類型一、位于兩條相鄰的字線之間并短接于兩條相鄰的字線；

類型二、位于兩條相鄰的字線之間并短接于其中一條字線且靠近另一條字線；

類型三、位于兩條相鄰的字線之間，與兩條字線均未接觸且靠近其中一條字線，在多次擦除操作后，所述淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留會與所述靠近的字線短接；

類型四、位于兩條相鄰的字線之間，與兩條字線均未接觸且與兩條字線均保持一定距離，在多次擦除操作后，所述淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留會由于被擦除而帶正電荷；

類型五、位于兩條相鄰的字線之間，且與兩條字線均保持一定距離，所述距離大于所述類型四中的所述距離，在多次擦除操作后，所述淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留不會與任何一條字線短接，也不會被擦除而帶正電荷。

4.如權利要求3所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述類型一中的多晶硅殘留在快閃存儲器的良率測試階段就顯示為整個扇區擦除失效，沒有可靠性問題。

5.如權利要求3所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述類型二中的多晶硅殘留能夠通過良率測試，但是在耐久性測試的初期即會顯示擦除失效，有可靠性問題。

6.如權利要求3所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述類型三中的多晶硅殘留能夠通過良率測試，但是在耐久性測試的次數達到2千次以上時會顯示擦除失效，有可靠性問題。

7.如權利要求3所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述類型四中的多晶硅殘留能夠通過良率測試，但是在耐久性測試的次數達到2萬次以上時會顯示擦除失效，有可靠性問題。

8.如權利要求3所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述類型五中的多晶硅殘留能夠通過良率以及耐久性測試，沒有可靠性問題。

9.如權利要求3所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述擦除的應力使相應的淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留從所述類型二或所述類型三分別變為所述類型一或所述類型二，以與相鄰的至少一條字線短接；所述擦除的應力使所述類型四的多晶硅殘留由于被擦除而呈現正電荷特性。

10.如權利要求1所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法，其特征在于，所述編程串擾測試中，所述編程電流從3.0μA增大到4.0μA以上，所述編程時間從7μs延長到9μs。

11.一種快閃存儲器的耐久測試方法，其特征在于，包括權利要求1至10中任一項所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法。

12.一種快閃存儲器的制造方法，其特征在于，根據權利要求1至10中任一項所述的快閃存儲器的缺陷檢測方法的檢測結果，或者根據權利要求11所述的快閃存儲器的耐久測試方法的測試結果，調整制造工藝參數，以進行快閃存儲器的制造。