[發明專利]一種低成本射頻差分放大器

有效

• 申請號: 201710241889.6
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107046408B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 戴若凡
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H03F3/193
• 分類號: H03F3/193;H03F3/45
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種低成本射頻差分放大器，包括：

輸入巴倫，用于利用兩個子巴倫將輸入的射頻單端信號RF_IN從不平衡方式轉換為平衡方式輸出以得到差分射頻電路所需的差分信號，該輸入巴倫的第一子巴倫、第二子巴倫平行放置且兩個子巴倫間的凹槽向上；

差分射頻電路，用于將輸入巴倫輸出的平衡射頻信號進行放大；

輸出巴倫，用于通過兩個子巴倫將該差分射頻電路輸出的平衡射頻信號轉換為不平衡輸出，該輸出巴倫的第三子巴倫、第四子巴倫也平行放置且兩個子巴倫間的凹槽向下；

其中，第一子巴倫、第二子巴倫的對稱軸與第三子巴倫、第四子巴倫的對稱軸重疊，所述差分射頻電路置于該第一子巴倫、第二子巴倫間向上的凹槽與該第三子巴倫、第四子巴倫間向下的凹槽圍成的中間區域，該第一子巴倫、第二子巴倫的上緣與第三子巴倫、第四子巴倫的下緣充分靠近。

2.如權利要求1所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該單端信號RF_IN由該輸入巴倫的第一子巴倫不平衡輸入側的一端輸入，經過該第一子巴倫不平衡側輸入線圈后從第一子巴倫不平衡輸入側的另一端輸出，該輸出再從輸入巴倫的第二子巴倫不平衡側的一端進入第二子巴倫不平衡側輸入線圈后接地。

3.如權利要求2所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該射頻單端信號RF_IN經該輸入巴倫的不平衡側電感耦合至該輸入巴倫的平衡側電感，該第一子巴倫的平衡輸出側的一端和第二子巴倫的平衡輸出側的一端接地，該第一子巴倫與第二子巴倫的平衡輸出側的另一端連接至該差分射頻電路。

4.如權利要求3所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該差分射頻電路包括第一級差分放大電路、第二級差分放大電路以及第一隔直電容、第二隔直電容。

5.如權利要求4所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該第一子巴倫的平衡輸出側的另一端連接至該第一隔直電容的一端，該第二子巴倫的平衡輸出側的另一端連接至該第二隔直電容的一端。

6.如權利要求5所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該第一級 差分放大電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一電阻、第二電阻，該第一隔直電容、第二隔直電容的另一端分別連接至該第一NMOS管、第二NMOS管柵極，該第一NMOS管、第二NMOS管的柵極分別通過第一偏置電阻、第二偏置電阻連接至第一偏置電壓，該第一NMOS管、第二NMOS管源極接地，該第一NMOS管、第二NMOS管的漏極分別連接至該第二級差分放大電路。

7.如權利要求6所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該第二級差分放大電路包括第三NNOS管、第四NMOS管、第三偏置電阻、第四偏置電阻，該第一NMOS管、第二NMOS管的漏極分別連接至該第三NNOS管、第四NMOS管的源極，該第三NMOS管、第四NMOS管的柵極分別通過第三偏置電阻、第四偏置電阻連接至第二偏置電壓，該第三NMOS管、第四NMOS管的漏極分別連接至輸出巴倫的兩個子巴倫的一端。

8.如權利要求7所述的一種低成本射頻差分放大器，其特征在于：該輸出巴倫的第三、第四子巴倫平衡側的另一端連接至電源，射頻信號經該輸出巴倫的平衡側電感耦合至輸出巴倫的不平衡側電感，并從輸出巴倫的不平衡側的一端輸出放大后的射頻信號，該輸出巴倫的不平衡側的另一端接地。