[發明專利]鋁合金表面自修復微弧氧化復合陶瓷膜層的制備方法在審
| 申請號： | 201710240975.5 | 申請日： | 2017-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN106995932A | 公開（公告）日： | 2017-08-01 |
| 發明（設計）人： | 程東;鄭世斌;馬春生;朱新河;嚴志軍;付景國;劉澤澤;于光宇 | 申請（專利權）人： | 大連海事大學 |
| 主分類號： | C25D11/06 | 分類號： | C25D11/06;C25D15/00 |
| 代理公司： | 大連至誠專利代理事務所(特殊普通合伙)21242 | 代理人： | 楊威,董彬 |
| 地址： | 116000 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鋁合金 表面 修復 氧化 復合 陶瓷膜 制備 方法 | ||
1.一種鋁合金表面自修復微弧氧化復合陶瓷膜層的制備方法，包括以下步驟：
a.對鋁合金基體進行預處理，去除表面氧化層，超聲清洗30-60min，取出后沖洗干凈并干燥；
b.將六偏磷酸鈉和蛇紋石納米顆粒加入電解液中并進行分散；
c.將鋁合金基體置于分散有蛇紋石納米顆粒的電解液中作為陽極，采用脈沖電源進行微弧氧化；
分散有蛇紋石納米顆粒的電解液的組成成分包括：硅酸鈉8g/L、鎢酸鈉5g/L、氫氧化鉀2.5g/L、EDTA 2g/L、六偏磷酸鈉200-600mg/L、蛇紋石納米顆粒5-10g/L，所述電解液的溶劑為去離子水；
微弧氧化的電參數為：正向電壓400-450v，負向電壓100-150v，頻率100-500hz，正向占空比20％，負向占空比20％，正負脈沖比1:1。
2.根據權利要求1所述的鋁合金表面自修復微弧氧化復合陶瓷膜層的制備方法，其特征在于：微弧氧化的溫度為30℃以下，時間為30-60min。
3.根據權利要求1所述的鋁合金表面自修復微弧氧化復合陶瓷膜層的制備方法，其特征在于：所述蛇紋石納米顆粒的制備方法為：先通過顎式破碎機將塊狀蛇紋石原料粉碎至微米級，再通過高速球磨機精磨48-72小時至納米級。
4.根據權利要求1所述的鋁合金表面自修復微弧氧化復合陶瓷膜層的制備方法，其特征在于：微弧氧化的陽極為鋁合金基體，陰極為不銹鋼電解槽。
5.根據權利要求1所述的鋁合金表面自修復微弧氧化復合陶瓷膜層的制備方法，其特征在于：所述六偏磷酸鈉在電解液中的濃度為200-600mg/L。
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