[發明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制造方法

有效

• 申請號: 201710240965.1
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN106847932B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 樓均輝;吳天一;夏興達;符鞠建;遲霄;應變;何澤尚;胡天慶
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

柵極，設置在所述基板上；

柵極絕緣層，設置在所述柵極上；

氧化物半導體層，設置在所述柵極絕緣層上并與所述柵極重疊；

源極和漏極，設置在所述氧化物半導體層上，所述源極和所述漏極相互間隔；

金屬氧化物層，設置在所述源極和所述漏極上，至少部分所述金屬氧化物層與未被所述源極和所述漏極覆蓋的所述氧化物半導體層重疊，其中，所述金屬氧化物層的材料為金屬氧化物，構成所述金屬氧化物的金屬的電負性低于氫。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括刻蝕阻擋層，設置在所述氧化物半導體層上，其中，至少部分所述金屬氧化物層覆蓋所述源極和所述漏極間隔處暴露出的所述刻蝕阻擋層。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物層為氧化鎂、氧化鋁、鎂鋁合金的氧化物中的至少一種。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為5nm到100nm。

5.一種薄膜晶體管陣列基板，包括權利要求1到4中的任一項所述的薄膜晶體管。

6.一種顯示裝置，包括權利要求1到4中的任一項所述的薄膜晶體管。

7.一種薄膜晶體管的制造方法，依次包括：

在基板上形成第一金屬層，圖案化所述第一金屬層，形成柵極；

在所述柵極上形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成與柵極重疊的氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上形成導電層，圖案化所述導電層，形成相互間隔的源極和漏極；

在所述源極和所述漏極上形成金屬層，其中，至少部分所述金屬層與未被所述源極和所述漏極覆蓋的所述氧化物半導體層重疊；

在惰性氣體氛圍中加熱，所述金屬層吸收所述氧化物半導體中的氫；

在含氧氣體氛圍中加熱，將所述金屬層氧化成絕緣體。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述金屬層材料為電負性低于氫的金屬材料。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述金屬層材料為鎂、鋁、鎂鋁合金中的至少一種。

10.如權利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為5nm到100nm。

11.如權利要求7到10中任一項所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，還包括在形成氧化物半導體后，在所述氧化物半導體層上形成刻蝕阻擋層，至少部分所述金屬層覆蓋所述源極和所述漏極間隔處暴露出的所述刻蝕阻擋層。