[發(fā)明專利]垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)及制法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710240185.7
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN108736315A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林炳成;陳志誠;曾竑維
• 申請（專利權(quán)）人: 光環(huán)科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基底；

一第一鏡層，位于該基底之上；

一活化層，位于該第一鏡層上；

一第二鏡層，位于活化層上；

一氧化層，夾設(shè)于該第二鏡層內(nèi)；

一凸臺區(qū)域，位于該基底之上、且是由至少一部分的該第一鏡層、該活化層、該第二鏡層以及該氧化層所組構(gòu)而成，于該凸臺區(qū)域的一頂面的一中央處具有一光窗；

一第一溝渠，位于該凸臺區(qū)域之內(nèi)、且環(huán)繞于該光窗的外周緣的至少一部分；該第一溝渠是由該凸臺區(qū)域的該頂面由上向下至少貫穿該第二鏡層、該氧化層與該活化層；

一第二溝渠，環(huán)繞于該凸臺區(qū)域的外周緣的至少一部分、且與該第一溝渠相隔一間距，該第二溝渠是由上向下至少貫穿該第二鏡層與該氧化層，使該第二溝渠的一底部是位于該活化層處或該第一鏡層處兩者其中之一；

一第三溝渠，環(huán)繞于該凸臺區(qū)域的外周緣的至少一部分且是自該第二溝渠的該底部向下凹陷，且該第三溝渠是由上向下至少貫穿該第一鏡層，使該第三溝渠的一底部是位于該基底處；

一介電材料，至少填充于該第一溝渠中；

一第一接觸層，位于該凸臺區(qū)域的該頂面上且接觸于該第二鏡層；以及

一第二接觸層，至少位于該第三溝渠的該底部且至少接觸于該基底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)，其特征在于：

該垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)更包括有一絕緣層，覆蓋于該凸臺區(qū)域的一外表面的至少一部分，且該第一接觸層與該第二接觸層至少有一部分是暴露于該絕緣層之外；

該第一鏡層是一n型分布式布拉格反射鏡層，且該第二鏡層是一p型分布式布拉格反射鏡層；

該第一鏡層與該第二鏡層的材質(zhì)包含有不同鋁莫耳百分比的砷化鋁鎵，并且，該氧化層在第二鏡層中是具有相對最高莫耳百分比的鋁；

該氧化層至少是由該第一溝渠的內(nèi)周緣朝向該凸臺區(qū)域的中央水平延伸；

該介電材料是低介電性質(zhì)的聚合物材料；以及

該第一接觸層與該第二接觸層都是金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1項所述的垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括有：

一離子布植層，位于該第二鏡層中且其高度是與該氧化層接近或重迭，并且，位于該凸臺區(qū)域內(nèi)的該離子布植層是位于該光窗與該第一溝渠之間、且是環(huán)繞于該光窗的外周緣的至少一部分；

其中，該第一接觸層是接觸于該第二鏡層的一上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1項所述的垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括有：

一出光層，位于該凸臺區(qū)域的該頂面的該光窗上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1項所述的垂直共振腔面射激光結(jié)構(gòu)，其特征在于：

該第二接觸層是由該第三溝渠的該底部沿著該第三溝渠與該第二溝渠分別各具有的一傾斜表面向上延伸至該第二鏡層的一上表面，使該第二接觸層的一頂面大致上是位于與該第一接觸層的相同高度；

于該第二溝渠的該底部形成一平面，使該第二接觸層在該第二溝渠的該底部構(gòu)成一水平延伸的狀態(tài)。