[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器元件中的存儲(chǔ)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)與其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710239078.2
• 申請(qǐng)日: 2017-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN108735741B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳品宏;鄭存閔;蔡志杰;陳姿潔;張凱鈞;吳佳臻;黃怡安;陳意維;黃信富;許啟茂;馮立偉;王嫈喬;馮仲?gòu)?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種存儲(chǔ)器元件中的存儲(chǔ)點(diǎn)接觸(storage node contact)結(jié)構(gòu)的形成方法，包含：

提供一基底，該基底上形成有介電層，該介電層中包含有凹槽；

形成一第一鎢金屬層于該凹槽中，并且填滿該凹槽；

進(jìn)行一平坦化步驟，移除部分該第一鎢金屬層；

形成一粘著層于該第一鎢金屬層上；

通過一物理氣相沉積(Physical vapor deposition，PVD)的方式形成一第二鎢金屬層于該粘著層上；以及

對(duì)該第一鎢金屬層、該粘著層以及該第二鎢金屬層進(jìn)行一退火步驟，

其中該第一鎢金屬層與該粘著層之間產(chǎn)生一氧化層，且該退火步驟移除該氧化層。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其中該氧化層材料包含有氧化鈦或是氧化鉭。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其中該第一鎢金屬層由一化學(xué)氣相沉積的方式形成。