[發明專利]一種螺旋結構的碲化鉍納米片薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201710238625.5
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN107058950A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 簡基康;王穎;郭燕紅
• 申請（專利權）人: 新疆大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種螺旋結構的碲化鉍納米片薄膜及其制備方法，其特征在于通過以下工藝過程實現：在多源高真空熱蒸發鍍膜機專用坩堝中，加入一定量的高純Bi₂Te₃粉末，放置于多源高真空熱蒸發鍍膜機蒸發源加熱區域；調整襯底樣品臺到蒸發源的距離至10cm，將樣品臺鎖定在蒸發源正上方；在襯底樣品臺上放置氟晶云母，放置前使用無水乙醇超聲清洗，然后將氟晶云母放置于等離子清洗機中使用氮氣清洗并干燥；反應前分別關閉襯底樣品臺下方和蒸發源上方擋板；開啟復合分子泵機組抽真空，抽至9*10^-5Pa，將襯底加熱至380℃-400℃；襯底溫度穩定后加熱蒸發源，溫度加熱至340℃-360℃，待儀器抽真空至5*10^-5Pa，打開襯底下方的擋板，開始鍍膜；在此溫度下反應5-120min，關閉蒸發源和襯底擋板，通過控制面板調節蒸發源和襯底溫度至0℃，等待儀器自然降溫后，獲得產物。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所用碲化鉍源為商業購買Bi₂Te₃粉。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所用襯底為商業購買氟晶云母。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所用制備裝置是多源高真空熱蒸發鍍膜機。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底到蒸發源的距離為10cm。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述蒸發源反應溫度為340℃-360℃。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底反應溫度為380℃-400℃。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鍍膜反應時間為10分鐘~2小時。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所得產物為一種螺旋結構的碲化鉍納米片薄膜。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所得到的碲化鉍納米片薄膜的螺旋結構臺階清晰，無其他產物。