[發明專利]MOSFET、MOSFET制備方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201710237348.6
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN108695387B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 朱超群;陳宇
• 申請（專利權）人: 比亞迪半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 張小燕

1.一種制備MOSFET的方法，其特征在于，包括：

在襯底上通過外延生長形成漂移區，所述襯底是由第一類型半導體材料形成的；

在所述漂移區內形成多個互相獨立設置的源區；

基于所述多個源區，形成多個互相獨立設置的阱區，所述源區形成在所述阱區中，且所述多個阱區中的每一個中，均設置有一個源區，所述多個阱區與所述多個源區是一一對應的；

在所述漂移區形成離子摻雜區，所述離子摻雜區連接兩個相鄰且互相獨立設置的所述阱區；以及

在所述漂移區上，設置柵介質層和柵極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

所述源區、所述阱區以及所述離子摻雜區，是分別獨立地通過多次離子注入而形成的，

其中，所述阱區與所述離子摻雜區具有第一摻雜類型，所述源區具有第二摻雜類型。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述源區是通過以下步驟形成的：

在所述漂移區的預定位置設置源區掩膜；

基于所述源區掩膜，通過多次離子注入處理，在所述預定區域以外的位置形成所述源區。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述阱區是通過以下步驟形成的：

對所述源區掩膜進行干法刻蝕處理，以便獲得阱區掩膜；

基于所述阱區掩膜，通過多次離子注入處理，形成所述阱區。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述阱區是通過以下步驟形成的：

對所述源區掩膜進行多次干法刻蝕處理，在所述源區掩膜的側壁形成多個臺階，以便獲得阱區掩膜；

基于所述阱區掩膜，通過多次離子注入處理，形成具有弧形邊界的所述阱區。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述阱區是通過以下步驟形成的：

對所述源區掩膜進行濕法刻蝕處理，使所述源區掩膜的側壁具有坡度，以便獲得阱區掩膜；

基于所述阱區掩膜，通過多次離子注入處理，形成具有弧形邊界的所述阱區。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

提供漂移區襯底材料；

在所述漂移區襯底材料的上表面依次形成多晶硅層以及光刻膠層，對所述多晶硅層以及所述光刻膠層進行第一光刻處理，以便形成源區掩膜；

對形成有所述源區掩膜的所述漂移區進行多次離子注入處理，以便形成所述源區；

對所述源區掩膜進行第二光刻處理，以便形成阱區掩膜；

對形成有所述阱區掩膜的所述漂移區進行多次離子注入處理，以便獲得所述阱區；

去除所述阱區掩膜，在所述漂移區上表面形成離子摻雜區掩膜；

對形成有所述離子摻雜區掩膜的所述漂移區進行多次離子注入處理；

去除所述離子摻雜區掩膜，在所述漂移區表面形成保護層，并對形成有所述保護層的所述漂移區進行高溫激活處理；

去除所述保護層，在所述漂移區上設置柵介質層和柵極。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述阱區掩膜是通過以下步驟形成的：

(1)對所述源區掩膜中的所述光刻膠層進行灰化處理，去除部分所述光刻膠層，以便暴露所述多晶硅層的部分上表面；

(2)對暴露出的所述多晶硅層進行光刻處理，以便在所述多晶硅層的側壁形成臺階；

(3)多次重復步驟(1)以及步驟(2)，在所述多晶硅層的側壁上形成多個所述臺階，以便獲得所述阱區掩膜。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述阱區掩膜是通過以下步驟形成的：

采用濕法刻蝕，利用刻蝕液對所述多晶硅層進行刻蝕處理，以便使所述多晶硅層的側壁具有坡度；

去除所述光刻膠層，以便獲得所述阱區掩膜。