[發(fā)明專利]產線內晶粒大小監(jiān)控設備及晶粒大小監(jiān)控方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710237322.1 | 申請日: | 2017-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN107039315B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孟林 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 產線內 晶粒 大小 監(jiān)控 設備 方法 | ||
1.一種產線內晶粒大小監(jiān)控設備,其特征在于,包括:工作腔(1)、第一傳動裝置(2)、掃描電子顯微鏡(3)、處理液滴定裝置(4)、第二傳動裝置(5)、基板支撐柱(6)、供氣裝置(7)、分子泵(8)、以及真空泵(9);
所述第一傳動裝置(2)與所述掃描電子顯微鏡(3)和處理液滴定裝置(4)相連,所述掃描電子顯微鏡(3)和處理液滴定裝置(4)均設于所述工作腔(1)的頂部,所述第二傳動裝置(5)和基板支撐柱(6)均設于所述工作腔(1)的底部,所述供氣裝置(7)和分子泵(8)均與所述工作腔(1)連通,所述真空泵(9)與所述分子泵(8)串聯(lián);
所述第一傳動裝置(2)用于帶動所述掃描電子顯微鏡(3)和處理液滴定裝置(4)移動,所述處理液滴定裝置(4)用于向待檢測的陣列基板(12)滴加處理液,所述掃描電子顯微鏡(3)用于拍攝待檢測的陣列基板(12)的晶界畫面,所述第二傳動裝置(5)用于傳輸待檢測的陣列基板(12),所述基板支撐柱(6)用于支撐待檢測的陣列基板(12)和對待檢測的陣列基板(12)進行加熱,所述供氣裝置(7)用于向所述工作腔(1)內通入保護氣體,所述分子泵(8)用于處理蒸發(fā)后的處理液,所述真空泵(9)用于對工作腔(1)進行抽真空。
2.如權利要求1所述的產線內晶粒大小監(jiān)控設備,其特征在于,所述掃描電子顯微鏡(3)包括:電磁透鏡(31)、以及與所述電磁透鏡(31)相連的電子發(fā)生裝置(32)。
3.如權利要求1所述的產線內晶粒大小監(jiān)控設備,其特征在于,還包括:連接于所述工作腔(1)和供氣裝置(7)之間的供氣管路(71)上的用于監(jiān)測保護氣體流速的流速測定裝置(10)。
4.如權利要求1所述的產線內晶粒大小監(jiān)控設備,其特征在于,還包括:設于所述工作腔(1)內的用于監(jiān)測工作腔(1)內氣壓的氣壓監(jiān)控裝置(11)。
5.如權利要求1所述的產線內晶粒大小監(jiān)控設備,其特征在于,所述基板支撐柱(6)中設有熱氣管(61),通過向所述熱氣管(61)通入熱氣實現(xiàn)所述基板支撐柱(6)的加熱功能;或者所述基板支撐柱(6)的頂部設有電加熱設備(62),通過所述電加熱設備(62)實現(xiàn)所述基板支撐柱(6)的加熱功能。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





